Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Yurchuk, Ekaterina"'
Autor:
Yurchuk, Ekaterina
Ferroelectric field effect transistor (FeFET) memories based on a new type of ferroelectric material (silicon doped hafnium oxide) were studied within the scope of the present work. Utilisation of silicon doped hafnium oxide (Si:HfO2) thin films inst
Externí odkaz:
https://tud.qucosa.de/id/qucosa%3A28793
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A28793/attachment/ATT-1/
https://tud.qucosa.de/api/qucosa%3A28793/attachment/ATT-1/
Autor:
Martin, Dominik, Yurchuk, Ekaterina, Müller, Stefan, Müller, Johannes, Paul, Jan, Sundquist, Jonas, Slesazeck, Stefan, Schlösser, Till, van Bentum, Ralf, Trentzsch, Martin, Schröder, Uwe, Mikolajick, Thomas
Publikováno v:
In Solid State Electronics October 2013 88:65-68
Autor:
Yurchuk, Ekaterina, Müller, Johannes, Knebel, Steve, Sundqvist, Jonas, Graham, Andrew P., Melde, Thomas, Schröder, Uwe, Mikolajick, Thomas
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 April 2013 533:88-92
Autor:
Yurchuk, Ekaterina, Müller, Johannes, Müller, Stefan, Paul, Jan, Pesic, Milan, Benthum, Ralf van, Schroeder, Uwe, Mikolajick, Thomas
Ferroelectric field effect transistors (FeFETs) based on ferroelectric hafnium oxide (HfO2) thin films show high potential for future embedded nonvolatile memory applications. However, HfO2 films besides their recently discovered ferroelectric behavi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::34d3b41db34e0d35fe0e13911187ed02
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/245037
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/245037
Autor:
Yurchuk, Ekaterina
Ferroelectric field effect transistor (FeFET) memories based on a new type of ferroelectric material (silicon doped hafnium oxide) were studied within the scope of the present work. Utilisation of silicon doped hafnium oxide (Si:HfO2) thin films inst
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4179::0d0b0c62c3b42b9fa710218fe0bdfefd
https://tud.qucosa.de/id/qucosa:28793
https://tud.qucosa.de/id/qucosa:28793
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Muller, Johannes, Polakowski, Patrick, Riedel, Stefan, Mueller, Stefan, Yurchuk, Ekaterina, Mikolajick, Thomas
Publikováno v:
2014 14th Annual Non-Volatile Memory Technology Symposium (NVMTS); 2014, p1-7, 7p