Zobrazeno 1 - 10
of 112
pro vyhledávání: '"Yurasov, D. V."'
Autor:
Ezhevskii, A. A., Guseinov, D. V., Soukhorukov, A. V., Novikov, A. V., Yurasov, D. V., Gusev, N. S.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 101, 195202 (2020)
An inverse spin Hall effect (ISHE) in n-type silicon was observed experimentally when conduction electrons were scattered on the spin-orbit potential of bismuth. The spin current in the silicon layer was generated by excitation of the magnetization p
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.08639
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Drozdov, M. N., Drozdov, Y. N., Csik, A., Novikov, A. V., Vad, K., Yunin, P. A., Yurasov, D. V., Belykh, S. F., Gololobov, G. P., Suvorov, D. V., Tolstogouzov, A.
Quantification of Ge in Si1-xGex structures (0.0920.9997) of intensity ratios
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1701.01612
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yurasov, D. V.1 (AUTHOR) Inquisitor@ipmras.ru, Baídakova, N. A.1 (AUTHOR), Verbus, V. A.1,2 (AUTHOR), Gusev, N. S.1 (AUTHOR), Morozova, E. E.1 (AUTHOR), Shengurov, D. V.1 (AUTHOR), Yablonskiy, A. N.1 (AUTHOR), Novikov, A. V.1,3 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jun2021, Vol. 55 Issue 6, p531-536. 6p.
Autor:
Yurasov, D. V.1 (AUTHOR) inquisitor@ipmras.ru, Novikov, A. V.1,2 (AUTHOR), Dyakov, S. A.3 (AUTHOR), Stepikhova, M. V.1 (AUTHOR), Yablonskiy, A. N.1 (AUTHOR), Sergeev, S. M.1 (AUTHOR), Utkin, D. E.4 (AUTHOR), Krasilnik, Z. F.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Aug2020, Vol. 54 Issue 8, p975-981. 7p.
Autor:
Yurasov, D. V.1 (AUTHOR) Inquisitor@ipmras.ru, Baídakova, N. A.1 (AUTHOR), Yablonskiy, A. N.1 (AUTHOR), Novikov, A. V.1,2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Jul2020, Vol. 54 Issue 7, p811-816. 6p.
Autor:
Yurasov, D. V., Novikov, A. V., Baidakova, N. A., Aleshkin, V. Ya., Bushuykin, P. A., Andreev, B. A., Yunin, P. A., Drozdov, M. N., Yablonskiy, A. N., Dubinov, A. A., Krasilnik, Z. F.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/30/2020, Vol. 127 Issue 16, p1-9, 9p, 7 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.