Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Yu.N. Rakov"'
Autor:
N. V. Monchares, Yu. N. Sveshnikov, Yu.N. Rakov, A. F. Zazulnikov, T. K. Bondareva, L. V. Schepina, G. F. Uzelmann, T. P. Bobrova, Yu. B. Mjakishev
Publikováno v:
2010 20th International Crimean Conference "Microwave & Telecommunication Technology".
The heterostructures AlGaN/AlN/GaN, grown on sapphire substrates, the standard design of the integrated power HFET and the design with the additional field-plate, and its technology have been developed. The HFETs have given output power 4,5–5,5 and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f315abc68178553a19d7916b75e5cb14
https://doi.org/10.1109/crmico.2010.5632774
https://doi.org/10.1109/crmico.2010.5632774
Publikováno v:
2007 17th International Crimean Conference - Microwave & Telecommunication Technology.
The design principles and technology of growth of pseudomorphic AIGaAs/lnGaAs heterostructure with silicon-doped canal for high frequency high power transistors as well as fabrication technology of the transistors were developed. Special attention ha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::450a7759f8159d175d3825c085c7b8c7
https://doi.org/10.1109/crmico.2007.4368848
https://doi.org/10.1109/crmico.2007.4368848
Publikováno v:
2006 16th International Crimean Microwave and Telecommunication Technology.
The results of the development of the wideband two-stage power amplifier (PA), covering 8 - 18 GHz frequency band with the saturated output power of 0.74 - 1.1 W and the gain of 6.9 - 8.6 dB, are presented. PA is realized with «the chip-on-the chip
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5a88437453db15ed7b00c0d84e8915eb
https://doi.org/10.1109/crmico.2006.256354
https://doi.org/10.1109/crmico.2006.256354
Autor:
Yu.N. Rakov
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE - Russia Conference. 1999 High Power Microwave Electronics: Measurements, Identification, Applications. MIA-ME'99 (Cat. No.99EX289).
The development of the new X-band electronics systems needs amplifiers with output power of 0.3-0.4 W, reliable, not so costly, with small weight and dimensions. This paper concerns design and measured characteristics of experimental quasimonolithic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2523ebd1fb8779e1457f25ce32c63b92
https://doi.org/10.1109/miame.1999.827807
https://doi.org/10.1109/miame.1999.827807
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.