Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Yu.M. Sherniakov"'
Autor:
W. V. Lundin, N.N. Ledentsov, Yu.A. Kudriavtsev, U.I. Ushakov, A.V. Lunev, Yu.M. Sherniakov, A. V. Sakharov, A. S. Usikov
Publikováno v:
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research. 3
Thick AlGaN layers and GaN/AlGaN heterostructures were grown by low pressure MOCVD on (0001) sapphire substrates utilizing a low temperature AlGaN buffer layer. The distribution of Al in the thick AlGaN layers was observed to be non-uniform as a func
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2f933f6c8b6c277cc4bbb2c22f5a7c85
https://doi.org/10.1557/s1092578300001009
https://doi.org/10.1557/s1092578300001009
Autor:
Dieter Bimberg, N. Kirstaedter, Zh. I. Alferov, A. E. Zhukov, P. S. Kop’ev, N. N. Ledentsov, Yu.M. Sherniakov, V. M. Ustinov, Mikhail V. Maximov, N. Yu. Gordeev, A. Yu. Egorov, Sergey V. Zaitsev
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
We have studied injection lasers based on InGaAs/GaAs vertically coupled quantum dots (QD) grown by molecular beam epitaxy. The threshold current density decreases by one order of magnitude down to 90 A cm −2 (300 K) with an increase of the number
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5944f5f27ef05a9c03f82f8b163c6b93
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-30244556731&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-30244556731&partnerID=MN8TOARS
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.