Výsledky vyhledávání

Maximum drift velocity of electrons in selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures with InAs inserts

Autor: K. Požela, S. S. Pushkarev, G. B. Galiev, E. A. Klimov, V. Jucienė, Yu. Požela, I. S. Vasil’evskii, A. Šilenas

Publikováno v: Semiconductors. 47:372-375

The dependence of the electron mobility and drift velocity on the growth conditions, thickness, and doping of an InAs insert placed at the center of the quantum well in a selectively doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructure has been investigated. R

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26444c83ebb575311374e0aca0961626
https://doi.org/10.1134/s1063782613030263

Zobrazit plný text záznamu

An increase in the electron mobility in the two-barrier AlGaAs/GaAs/AlGaAs heterostructure as a result of introduction of thin InAs barriers for polar optical phonons into the GaAs quantum well

Autor: Yu. Požela, A. Mekys, K. Požela, Yu. Storasta, V. Jucienė, V. P. Evtikhiev, S. Balakauskas, A. S. Schkolnik

Publikováno v: Semiconductors. 41:1439-1444

Confinement and localization of optical phonons in narrow phonon wells with thin phonon barriers decreases the rate of electron-phonon scattering by polar optical phonons by a factor of many times. An increase in mobility and drift velocity of electr

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5411f1d35bcff005e385e0eb3d53c0d0
https://doi.org/10.1134/s1063782607120111

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání