Zobrazeno 1 - 10
of 53
pro vyhledávání: '"Yu-Ying Xia"'
Publikováno v:
Cailiao gongcheng, Vol 46, Iss 10, Pp 70-76 (2018)
Surface treatment was carried out on the weld toe of MB8 magnesium alloy welded joints with ultrasonic impact treatment(UIT) method. The Surface microstructure and the fatigue property of treated and as-welded MB8 magnesium alloy welded joints were i
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/82bbd445a84c43c59203e181d045f619
Publikováno v:
Phytochemistry Letters. 25:81-85
Four new iridoids, 1α-protoplumericin B-C (1-2), 13-O-caffeoyl-15-demethy-plumieride (3), 15-demethy-plumieride p-E-coumarate (4), together with six known iridoids (5-10) were isolated from the flowers of Plumeria rubra “Acutifolia”. Their struc
Autor:
Chao-Zhan Lin, Xiao-Hui Li, Zhong-Xiang Zhao, Yu-Ying Xia, Tian-Qin Xiong, Yu Ning, Chen-Chen Zhu
Publikováno v:
Fitoterapia. 83:1-5
Previous studies revealed that diterpenoids from Callicarpa genus were mainly of clerodane-type and phyllocladane-type, and abietane-type diterpenoids were seldom reported. In this paper, we reported two new abietane diterpenoids, kochianic acid A (1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Zhong yao cai = Zhongyaocai = Journal of Chinese medicinal materials. 36(4)
To study the chemical constituents of Callicarpa peii.The chemical constituents were isolated and purified by chromatographic methods and elucidated by spectral analysis, including UV, IR, MS, 1H-NMR and 13C-NMR.Ten compounds were obtained and identi
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Semiconductors. 35:124007
Based on the measured capacitance—voltage (C—V) curves and current—voltage (I–V) curves for the prepared differently-sized AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs), the I–V characteristics of the AlN/GaN HFETs were simulated
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B. 22:067203
We simulate the current—voltage (I—V) characteristics of AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors (HFETs) with different gate lengths using the quasi-two-dimensional (quasi-2D) model. The calculation results obtained using the modif
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.