Výsledky vyhledávání - "Yoon, Sisung"

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Effects of a Spike-Annealed HfO 2 Gate Dielectric Layer on the On-Resistance and Interface Quality of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors.

Autor: Lee, Gyuhyung, Yang, Jeongyong, Yeom, Min Jae, Yoon, Sisung, Yoo, Geonwook

Publikováno v: Electronics (2079-9292); Jul2024, Vol. 13 Issue 14, p2783, 9p

Zobrazit plný text záznamu