Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Yoo Hui Jae"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prashant Majhi, Le Van H, Tung I-Cheng, Brian S. Doyle, Yoo Hui Jae, Tobias L Brown-Heft, Yu-Jin Chen, Abhishek Sharma, Miriam Reshotko, Jack T. Kavalieros, Matthew V. Metz
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Scaled ferroelectric transistors (L g =76 nm) in a back- gated configuration are fabricated with a channel-last process flow. Using this approach, optimization of the ferroelectric gate oxide film can be decoupled from that of the semiconductor chann
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee352181ccb4c904d5779e075a9ad290
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371940
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9371940
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sung, Seung Hoon, Chawla, Jasmeet, Carver, Colin, Chebiam, Ramanan, Clarke, James, Jezewski, Chris, Tronic, Tristan, Turkot, Bob, Yoo, Hui Jae
Publikováno v:
2015 IEEE International Interconnect Technology Conference & 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM); 2015, p87-90, 4p
Autor:
Lin, Kevin L., Bojarski, Stephanie A., Carver, Colin T., Chandhok, Manish, Chawla, Jasmeet S., Clarke, James S., Harmes, Michael, Krist, Brian, Lang, Hazel, Mayeh, Mona, Naskar, Sudipto, Plombon, John J., Sung, Seung Hoon, Yoo, Hui Jae
Publikováno v:
2015 IEEE International Interconnect Technology Conference & 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM); 2015, p169-172, 4p
Autor:
Lin, Kevin L., Carver, Colin T., Chebiam, Ramanan, Clarke, James, Faber, Jacob, Harmes, Michael, Indukuri, Tejaswi, Jezewski, Christopher, Kobrinsky, Mauro, Krist, Brian, Lakamraju, Narendra, Lang, Hazel, Myers, Alan M., Plombon, John J., Singh, Kanwal Jit, Yoo, Hui Jae
Publikováno v:
IEEE International Interconnect Technology Conference; 2014, p177-180, 4p
Autor:
Stan G; Material Measurement Laboratory, National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD, 20899, USA., Mays E; Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, USA., Yoo HJ; Components Research, Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, USA., King SW; Logic Technology Development, Intel Corporation, Hillsboro, OR 97124, USA.
Publikováno v:
Experimental mechanics [Exp Mech] 2018; Vol. 58 (7).