Zobrazeno 1 - 7
of 7
pro vyhledávání: '"Yoneda, Shinichi"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shunsaku Muraoka, Yukio Hayakawa, Ryotaro Yasuhara, Kawai Ken, Koji Katayama, Koji Eriguchi, Yoneda Shinichi, Zhiqiang Wei, Kazuhiko Shimakawa, Takumi Mikawa
Publikováno v:
2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology (ICSICT).
An analytic formula based on stochastic differential equation is successfully developed to describe intrinsic ReRAM variation. The formula is useful to predict scaled ReRAM memory window after retention, verified by testing 40 nm 2Mb memory array.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kawahara, Akifumi, Azuma, Ryotaro, Ikeda, Yuuichirou, Kawai, Ken, Katoh, Yoshikazu, Tanabe, Kouhei, Nakamura, Toshihiro, Sumimoto, Yoshihiko, Yamada, Naoki, Nakai, Nobuyuki, Sakamoto, Shoji, Hayakawa, Yukio, Tsuji, Kiyotaka, Yoneda, Shinichi, Himeno, Atsushi, Origasa, Ken-ichi, Shimakawa, Kazuhiko, Takagi, Takeshi, Mikawa, Takumi, Aono, Kunitoshi
Publikováno v:
2012 IEEE International Solid-State Circuits Conference; 1/ 1/2012, p432-434, 3p
Autor:
Kokura, Hikaru, Yoneda, Shinichi, Nakamura, Keiji, Mitsuhira, Noriyuki, Nakamura, Moritaka, Sugai, Hideo
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; September 1999, Vol. 38 Issue: 9 p5256-5256, 1p