Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Yermolayev, D. M."'
Autor:
Yermolayev, D. M., Maremyanin, K. M., Fateev, D. V., Morozov, S. V., Maleev, N. A., Zemlyakov, V. E., Gavrilenko, V. I., Shapoval, S. Yu., Popov, V. V.
We have fabricated a grating-gate InGaAs/GaAs field-effect transistor structure with narrow slits between the grating gate fingers. The resonant photoconductive response of this structure has been measured in the sub-terahertz frequency range. The fr
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1110.1797
Autor:
Yermolayev, D. M.1,2, Polushkin, E. A.1, Koval'chuk, A. V.1, Shapoval, S. Yu.1, Marem'yanin, K. V.3, Gavrilenko, V. I.3, Maleev, N. A.4, Ustinov, V. M.4, Zemlyakov, V. E.5, Yegorkin, V. I.5, Bespalov, V. A.5, Popov, V. V.6,7,8, Khmyrova, I.9
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics & Systems. Sep-Dec2016, Vol. 25 Issue 3/4, p-1. 11p.
Autor:
Yermolayev, D. M.1, Polushkin, E. A.1, Shapoval, S. Yu.1, Popov, V. V.2,3, Marem'yanin, K. V.4, Gavrilenko, V. I.4, Maleev, N. A.5, Ustinov, V. M.5, Zemlyakov, V. E.6, Yegorkin, V. I.6, Bespalov, V. A.6, Muravjov, A. V.7, Rumyantsev, S. L.7, Shur, M. S.7
Publikováno v:
International Journal of High Speed Electronics & Systems. Mar-Jun2015, Vol. 24 Issue 1/2, p-1. 23p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.