Zobrazeno 1 - 10
of 186
pro vyhledávání: '"Yerci, S."'
Publikováno v:
In Optical Materials 2011 33(11):1829-1832
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2011 131(11):2432-2439
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
38th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 59-63
Among the widely used methods such as transfer length or Cox and Strack methods to determine the contact resistivity of various interfaces, contact resistivity can also be
Among the widely used methods such as transfer length or Cox and Strack methods to determine the contact resistivity of various interfaces, contact resistivity can also be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3044934c34fa20eae3a312a8cc5402ec
Autor:
Caldelas, P., Rolo, A.G., Gomes, M.J.M., Alves, E., Ramos, A.R., Conde, O., Yerci, S., Turan, R.
Publikováno v:
In Vacuum 2008 82(12):1466-1469
37th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition; 554-559
Among carrier selective layers that can be thermally evaporated, MoOx and Al-capped LiFx have shown promising performance. Here, we investigate the electrical performance
Among carrier selective layers that can be thermally evaporated, MoOx and Al-capped LiFx have shown promising performance. Here, we investigate the electrical performance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::67dd28ac80392e6f89d7274bf3587e95
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rosiński, M., Badziak, J., Czarnecka, A., Gasior, P., Parys, P., Pisarek, M., Turan, R., Wołowski, J., Yerci, S.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing 2006 9(4):655-658
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B October 2005 239(4):419-425