Výsledky vyhledávání - "Yeluri, Ramya"

Knihovna AV ČR, v. v. i.

Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
- English
- Čeština
Instituce

Pokročilé vyhledávání

Zahrnout EIZ

Zachovat současné nastavení filtrů

EXPAND:"fulltext"

Domovská stránka
Vyhledávání: "Yeluri, Ramya"
Navrhnout nákup titulu

Zobrazeno 1 - 10 of 29 pro vyhledávání: '"Yeluri, Ramya"'

Řazení

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

Vybrat výsledek číslo 1 1

Akademický článek

Impact of oxygen precursor flow on the forward bias behavior of MOCVD-Al2O3 dielectrics grown on GaN.

Autor: Chan, Silvia H., Bisi, Davide, Xiang Liu, Yeluri, Ramya, Tahhan, Maher, Keller, Stacia, DenBaars, Steven P., Meneghini, Matteo, Mishra, Umesh K.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/7/2017, Vol. 122 Issue 17, p174101-1-174101-7, 7p, 2 Color Photographs, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 2 2

Akademický článek

Capacitance-voltage characterization of interfaces between positive valence band offset dielectrics and wide bandgap semiconductors.

Autor: Yeluri, Ramya, Liu, Xiang, Swenson, Brian L., Lu, Jing, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Aug2013, Vol. 114 Issue 8, p083718, 5p, 1 Color Photograph, 1 Chart, 6 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 3 3

Akademický článek

Interface states at the SiN/AlGaN interface on GaN heterojunctions for Ga and N-polar material.

Autor: Yeluri, Ramya, Swenson, Brian L., Mishra, Umesh K.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb2012, Vol. 111 Issue 4, p043718, 5p, 1 Diagram, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 4 4

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 5 5

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 6 6

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 7 7

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 8 8

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 9 9

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 10 10

Akademický článek

Dielectric stress tests and capacitance-voltage analysis to evaluate the effect of post deposition annealing on Al2O3 films deposited on GaN.

Autor: Yeluri, Ramya, Xiang Liu, Guidry, Matthew, Koksaldi, Onur S., Lal, Shalini, Jeonghee Kim, Jing Lu, Keller, Stacia, Mishra, Umesh K.

Publikováno v: Applied Physics Letters; 12/1/2014, Vol. 105 Issue 22, p1-4, 4p, 2 Charts, 4 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

1
2
3
Další »
[3]

Vyhledávací nástroje:

RSS
Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání

Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR

Zdroje

Pouze tištěné dokumenty

Zahrnout EIZ

26 Akademické články
2 Časopisy
1 Konferenční materiály

6 gallium nitride
4 dielectrics research
4 gan
4 metal organic chemical vapor deposition
3 capacitance-voltage characteristics
3 compact modeling
3 conformal geometry
3 electronic circuits
3 heat transfer
3 integrated circuits
3 spreading electric resistance
3 spreading resistance
2 al2o3
2 aluminum gallium nitride
2 aluminum oxide films
2 atomic layer deposition
2 band gaps
2 charge density waves
2 chemical beam epitaxy
2 chemical vapor deposition
2 crystal structure
2 dielectric properties
2 electric capacity
2 electroforming
2 electron gas
2 electron mobility
2 electron waveguides
2 electronic band structure
2 electrostatics
2 field-effect transistors
2 films
2 hemts
2 hysteresis
2 interface states
2 modulation-doped field-effect transistors
2 nitrides
2 p-n junctions (semiconductors)
2 power devices
2 semiconductor research
2 solid state electronics
2 thin films
2 transistor design & construction
2 traps
1 ald
1 algan/gan hemts
1 alo
1 breakdown
1 breakdown voltage
1 chemical-vapor-deposition
1 deposition

12 american institute of physics
7 amer inst physics
4 ieee
1 iop publishing
1 iop publishing ltd
1 springer
1 springer nature

10 journal of applied physics
9 applied physics letters
3 ieee transactions on electron devices
2 applied physics express
2 applied physics express (apex)
2 journal of electronic materials
1 72nd device research conference

10 Complementary Index
9 Science Citation Index Expanded
7 Academic Search Ultimate
2 Supplemental Index
1 Business Source Ultimate

Od:

do:

Možnosti vyhledávání

Tematická mapa
Historie vyhledávání
Pokročilé vyhledávání

Objevte více

Abecední procházení

Hledáte pomoc?

Tipy pro vyhledávání

načítá se......