Zobrazeno 1 - 10
of 65
pro vyhledávání: '"Yeap, Kong Boon"'
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2018 91 Part 2:232-242
Autor:
Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Standke, Yvonne, Aubel, Oliver, Vogel, Norman, Hauschildt, Meike, Beyer, Armand, Engelmann, Hans-Jürgen, Zschech, Ehrenfried
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2 April 2015 137:47-53
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering June 2013 106:182-187
Autor:
Song, Xu, Yeap, Kong Boon, Zhu, Jing, Belnoue, Jonathan, Sebastiani, Marco, Bemporad, Edoardo, Zeng, Kaiyang, Korsunsky, Alexander M.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 2012 520(6):2073-2076
Publikováno v:
In Thin Solid Films 3 January 2011 519(6):1914-1922
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering A 2009 518(1):132-138
Publikováno v:
In Acta Materialia 2008 56(5):977-984
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 6/15/2007, Vol. 101 Issue 12, p123531, 11p, 8 Diagrams, 3 Charts, 2 Graphs
Autor:
Liao, Zhongquan, Gall, Martin, Yeap, Kong Boon, Sander, Christoph, Clausner, André, Mühle, Uwe, Gluch, Jürgen, Standke, Yvonne, Aubel, Oliver, Beyer, Armand, Hauschildt, Meike, Zschech, Ehrenfried
The time-dependent dielectric breakdown (TDDB) in on-chip interconnect stacks is one of the most critical failure mechanisms for microelectronic devices. The aggressive scaling of feature sizes, both on devices and interconnects, leads to serious cha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::a8ffcca5cf201351f0e0275696149767
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240933
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/240933
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.