Výsledky vyhledávání - "Ye, Hansheng"

Knihovna AV ČR, v. v. i.

Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
- English
- Čeština
Instituce

Knihovna bude uzavřena od 23. 12. 2024 do 3. 1. 2025.

Pokročilé vyhledávání

Zahrnout EIZ

Zachovat současné nastavení filtrů

EXPAND:"fulltext"

Domovská stránka
Vyhledávání: "Ye, Hansheng"
Navrhnout nákup titulu

Zobrazeno 1 - 10 of 31 pro vyhledávání: '"Ye, Hansheng"'

Řazení

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

Vybrat výsledek číslo 1 1

Akademický článek

Ferroelectric‐Gated HfZrO2/AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors with Regrown Contacts for Radio Frequency and Millimeter‐Wave Switch Applications.

Autor: Jönsson, Adam, Turner, Wesley, Ye, Hansheng, Wu, Weifeng, Venkatesan, Nivedita, Xie, Andy, Beam, Edward, Cao, Yu, Fay, Patrick

Publikováno v: Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Jul2024, Vol. 221 Issue 13, p1-5, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 2 2

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 3 3

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 4 4

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 5 5

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 6 6

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 7 7

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat výsledek číslo 8 8

Akademický článek

Electron mobility and velocity in Al0.45Ga0.55N-channel ultra-wide bandgap HEMTs at high temperatures for RF power applications.

Autor: Ye, Hansheng, Gaevski, Mikhail, Simin, Grigory, Khan, Asif, Fay, Patrick

Publikováno v: Applied Physics Letters; 3/7/2022, Vol. 120 Issue 10, p1-6, 6p

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 9 9

Periodical

Ferroelectric‐Gated HfZrO2/AlGaN/GaN High‐Electron‐Mobility Transistors with Regrown Contacts for Radio Frequency and Millimeter‐Wave Switch Applications

Autor: Jönsson, Adam, Turner, Wesley, Ye, Hansheng, Wu, Weifeng, Venkatesan, Nivedita, Xie, Andy, Beam, Edward, Cao, Yu, Fay, Patrick

Publikováno v: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science; July 2024, Vol. 221 Issue: 13

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 10 10

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

1
2
3
4
Další »
[4]

Vyhledávací nástroje:

RSS
Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání

Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR

Zdroje

Pouze tištěné dokumenty

Zahrnout EIZ

27 Akademické články
3 Časopisy
1 Konferenční materiály

11 gan
8 gallium nitride
7 modulation-doped field-effect transistors
6 impact ionization
5 electron impact ionization
4 charge carrier processes
4 electric fields
4 photoconductivity
4 p-i-n diodes
4 temperature dependence
4 temperature measurement
3 avalanche
3 breakdown voltage
3 ferroelectric
3 ferroelectrics
3 heterostructures
3 pin diodes
3 polarization switching
3 velocity
2 1/f noise
2 algan/gan
2 algan/gan high-electron-mobility transistors
2 aluminum gallium nitride
2 atomic layer deposition
2 avalanches
2 barium titanate
2 bayesian optimization
2 charge carrier mobility
2 chemical vapor deposition
2 dielectrics
2 electron beams
2 electrons
2 extreme environments
2 frequency agility
2 gallium nitride testing
2 hemts
2 hf0.5zr0.5o2
2 high temperatures
2 high-electron-mobility transistors (hemts)
2 holes (electron deficiencies)
2 ionization (atomic physics)
2 laser pulses
2 laser wakefield acceleration
2 multiplication
2 ohmic contacts
2 photon counting
2 pink noise
2 p-n junctions (semiconductors)
2 radio frequency
2 single crystals

6 american institute of physics
6 wiley-blackwell
4 ieee
3 wiley-v c h verlag gmbh
2 aip publishing
2 amer inst physics
2 ieee-inst electrical electronics engineers inc
1 elsevier
1 elsevier b.v.
1 spie - international society of optical engineering

6 applied physics letters
4 ieee transactions on electron devices
4 physica status solidi. a: applications & materials science
3 aip advances
2 ieee electron device letters
2 physica status solidi (a) - applications and materials science
2 physica status solidi (b)
2 physica status solidi a-applications and materials science
2 proceedings of spie
2 results in physics
1 journal of applied physics
1 physica status solidi b-basic solid state physics

10 Science Citation Index Expanded
9 Complementary Index
7 Academic Search Ultimate
4 Supplemental Index
1 Business Source Ultimate

Od:

do:

Možnosti vyhledávání

Tematická mapa
Historie vyhledávání
Pokročilé vyhledávání

Objevte více

Abecední procházení

Hledáte pomoc?

Tipy pro vyhledávání

načítá se......