Zobrazeno 1 - 10 of 102 pro vyhledávání: '"Yarn, K.F."'
1
Akademický článek
Gate-recessed delta-doping enhancement-mode Al 0.2Ga 0.8As/In 0.15Ga 0.85As PHEMTs using a new citric buffer etchant
Autor: Yarn, K.F., Liao, C.I., Wang, Y.H., Houng, M.P., Chure, M.C.
Publikováno v: In Materials Science in Semiconductor Processing 2005 8(4):550-554
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
DIRECT GROWTH OF HIGH-QUALITY InP LAYERS ON GaAs SUBSTRATES BY MOCVD.
Autor: Yarn, K.F.1, Chien, W.C.1, Lin, C.L.2, Liao, C.I.2
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. Jun2003, Vol. 26 Issue 2, p71. 9p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
ON THE RELIABILITY OF ACCELERATED TESTING IN AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs.
Autor: Yarn, K.F.1, Chien, W.C.1, Wang, C.S.2
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. Jun2003, Vol. 26 Issue 2, p115. 13p.
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
VOLTAGE-CONTROLLED SMALL SIGNAL ANALYSIS OF REAL SPACE TRANSFER TRANSISTOR.
Autor: Yarn, K.F.1, Hwang, J.Y.2
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. Jan2003, Vol. 26 Issue 1, p51. 12p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
EXPERIMENTAL STUDIES Of NEW GaAs METAL/INSULATOR/p-n + SWITCHES USING LOW TEMPERATURE OXIDE.
Autor: Yarn, K.F.1
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. Sep2002, Vol. 25 Issue 3, p233. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE BEHAVIOR IN DELTA-DOPED AlInP STRUCTURE GROWN BY MOCVD.
Autor: Yarn, K.F.1
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. Sep2002, Vol. 25 Issue 3, p245. 4p.
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
MOCVD-GROWN InGaP/GaAs EMITTER DELTA DOPING HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTORS.
Autor: Yarn, K.F.1
Publikováno v: Active & Passive Electronic Components. Sep2002, Vol. 25 Issue 3, p239. 5p.
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Current-injection three-terminal GaAs regenerative switches.
Autor: Wang, Y.H., Yarn, K.F., Chang, C.Y.
Publikováno v: International Journal of Electronics. May90, Vol. 68 Issue 5, p693. 12p.
Zobrazit plný text záznamu
9
Conference
A new GaAs bipolar-unipolar transition negative differential resistance device (BUNDR).
Autor: Yarn, K.F., Wang, Y.H., Chang, C.Y., Jame, M.S.
Publikováno v: 1987 International Electron Devices Meeting; 1987, p74-77, 4p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Gate-recessed delta-doping enhancement-mode Al0.2Ga0.8As/In0.15Ga0.85As PHEMTs using a new citric buffer etchant
Autor: Yarn, K.F.1 ymo86@yahoo.com.tw, Liao, C.I.2, Wang, Y.H.2, Houng, M.P.2, Chure, M.C.1
Publikováno v: Materials Science in Semiconductor Processing. Aug2005, Vol. 8 Issue 4, p550-554. 5p.
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje