Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Yap, Sing Fui"'
Autor:
C.S. Premachandran, Justison Patrick, P. Paliwoda, Thangaraju Sarasvathi, Rahul Agarwal, Natarajan Mahadeva Iyer, Gondal Arfa, Rakesh Ranjan, Yap Sing Fui
Publikováno v:
2015 IEEE 65th Electronic Components and Technology Conference (ECTC).
Wafer level reliability of TSV has been studied with respect to FEOL (Front end of line) and BEOL (Back end of line) reliability aspects. TSV keep out zone (KoZ) study has been done with varying gate length and width of transistor. Voltage ramp stres
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2440b83a554d2a5f1b88831de222b967
https://doi.org/10.1109/ectc.2015.7159899
https://doi.org/10.1109/ectc.2015.7159899
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Rabie, Mohamed A., S., Premachandran C., Ranjan, Rakesh, Natarajan, Mahadevan Iyer, Yap, Sing Fui, Smith, Daniel, Thangaraju, Sarasvathi, Alapati, Ramakanth, Benistant, Francis
Publikováno v:
IEEE International Interconnect Technology Conference; 2014, p203-206, 4p
Autor:
Yeap, Kong Boon, Shen, Tian, Zhang, Galor Wenyi, Yap, Sing Fui, Holt, Brian, Gondal, Arfa, Choi, Seungman, Liew, San Leong, Yao, Walter, Justison, Patrick
Publikováno v:
2015 IEEE International Reliability Physics Symposium; 2015, p00-2A.1.5, 0p