Zobrazeno 1 - 10
of 226
pro vyhledávání: '"Yao, S. D."'
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 98, 222508 (2011)
6H-SiC (silicon carbide) single crystals containing VSi-VC divacancies are investigated with respect to magnetic and structural properties. We found that an initial increase of structural disorder leads to pronounced ferromagnetic properties at room
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1106.0966
Autor:
Li, Lin, Yao, S. D., Zhou, Shengqiang, Bürger, D., Roshchupkina, O., Akhmadaliev, S., Rushforth, A. W., Campion, R. P., Fassbender, J., Helm, M., Gallagher, B. L., Timm, C., Schmidt, H.
Ion irradiation of semiconductors is a well understood method to tune the carrier concentration in a controlled manner. We show that the ferromagnetism in GaMnAs films, known to be hole-mediated, can be modified by He ion irradiation. The coercivity
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1012.1678
Publikováno v:
African Crop Science Journal. 2017, Vol. 25 Issue 2, p157-175. 19p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yang, X. L., Chen, Z. T., Wang, C. D., Zhang, Y., Pei, X. D., Yang, Z. J., Zhang, G. Y., Ding, Z. B., Wang, K., Yao, S. D.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Mar2009, Vol. 105 Issue 5, pN.PAG, 4p, 5 Graphs
Autor:
Zhang, B.1, Yao, S. D.1 sdyao@pku.edu.cn, Wang, K.1, Ding, D. B.1, Chen, Z. T.2, Su, Y. Y.2, Zhang, G. Y.2, Ma, H. J.1, Nie, R.1, Zhang, Y. W.1
Publikováno v:
Journal of Radioanalytical & Nuclear Chemistry. Jul2006, Vol. 269 Issue 1, p9-13. 5p. 1 Chart, 5 Graphs.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Li, L., Yao, S. D., Roshchupkina, O., Prucnal, S., Akhmadaliev, S., Campion, R. P., Rushforth, A. W., Fassbender, J., Helm, M., Gallagher, B. L., Timm, C., Schmidt, H., Zhou, S.
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research B 269(2011), 2469-2473
We study the influence of ion irradiation on magnetic, magneto-transport and structural properties in Ga0.94Mn¬0.06As films. The carrier concentration is accurately controlled by defects introduced via ion irradiation. Magnetic properties strongly d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::b337ea2e25460d4ad5998086a931e4c1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-15863-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-15863-1
Autor:
Li, L., Zhou, S. Q., Bürger, D., Fassbender, J., Helm, M., Schmidt, H., Oesterlin, P., Yao, S. D.
Publikováno v:
DPG Frühjahrstagung der Sektion Kondensierte Materie (SKM), 21.-26.03.2010, Regensburg, Deutschland
The success of GaMnAs ferromagnetic semiconductors stands on two facts: (1) the efficient suppression of Mn-rich precipitates and (2) the large hole concentration created by substitutional Mn ions. If GaMnAs can be a guide, these two prerequisites sh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4577::c6b13e4676c347a02df14cd91fb44262
https://www.hzdr.de/publications/Publ-14803-1
https://www.hzdr.de/publications/Publ-14803-1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.