Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Yang, Gaiying"'
Autor:
Zhou, Guangnan, Jiang, Yang, Yang, Gaiying, Wang, Qing, Fan, Mengya, Jiang, Lingli, Yu, Hongyu, Xia, Guangrui
We report a dramatic current reduction, or a resistance increase, by a few orders of magnitude of two common-anode Au/Ti/pGaN Schottky junctions annealed within a certain annealing condition window (600 - 700 oC, 1 - 4 min). Results from similar comm
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2102.03418
Gate Leakage Suppression and Breakdown Voltage Enhancement in p-GaN HEMTs using Metal/Graphene Gates
Autor:
Zhou, Guangnan, Wan, Zeyu, Yang, Gaiying, Jiang, Yang, Sokolovskij, Robert, Yu, Hongyu, Guangrui, Xia
In this work, single-layer intrinsic and fluorinated graphene were investigated as gate insertion layers in normally-OFF p-GaN gate HEMTs, which wraps around the bottom of the gate forming Ti/graphene/p-GaN at the bottom and Ti/graphene/ SiNx on the
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.00119
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sokolovskij, R., Zhang, Jian, Zheng, Hongze, Li, Wenmao, Jiang, Y., Yang, Gaiying, Yu, H., Sarro, Pasqualina M, Zhang, Kouchi
Publikováno v:
IEEE Sensors, 20(16)
The present work reports on the hydrogen gas detection properties of Pt-AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) sensors with recessed gate structure. Devices with gate recess depths from 5 to 15 nm were fabricated using a precision cyclic
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=narcis______::6913ac34e291b333aff58fe7636321c6
http://resolver.tudelft.nl/uuid:34ee1c5b-8f44-490a-b6a7-d81d72e18cf6
http://resolver.tudelft.nl/uuid:34ee1c5b-8f44-490a-b6a7-d81d72e18cf6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sokolovskij, Robert, Zhang, Jian, Zheng, Hongze, Li, Wenmao, Jiang, Yang, Yang, Gaiying, Yu, Hongyu, Sarro, Pasqualina M., Zhang, Guoqi
Publikováno v:
IEEE Sensors Journal; 8/15/2020, Vol. 20 Issue 16, p8947-8955, 9p
Autor:
Song Won Ko, Dechakupt, Tanawadee, Yang, Gaiying, Randall, Clive A., Trolier-McKinstry, Susan, Randall, Michael, Pinceloup, Pascal, Tajuddin, Azizuddin
Publikováno v:
2008 17th IEEE International Symposium on the Applications of Ferroelectrics; 2008, p1-4, 4p