Výsledky vyhledávání - "Yamaguchi, Yuutarou"

Knihovna AV ČR, v. v. i.

Odhlásit
Přihlášení
Jazyk
- English
- Čeština
Instituce

Knihovna bude uzavřena od 23. 12. 2024 do 3. 1. 2025.

Pokročilé vyhledávání

Zahrnout EIZ

Zachovat současné nastavení filtrů

EXPAND:"fulltext"

Domovská stránka
Vyhledávání: "Yamaguchi, Yuutarou"
Navrhnout nákup titulu

Zobrazeno 1 - 10 of 14 pro vyhledávání: '"Yamaguchi, Yuutarou"'

Řazení

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

Vybrat výsledek číslo 1 1

AlGaN/GaN HEMTにおけるドレーン漏れ電流の解析

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Publikováno v: 電子情報通信学会論文誌. C, エレクトロニクス. (No. 8):200-208

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::75fb26c9c97cc48ae3f6bc3ce4b30408
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100659703

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 2 2

GaN HEMTの過渡応答バイアス依存性によるトラップ解析

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::46f0f4bbd694978f5601af48f0c31c34
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100693225

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 3 3

Analysis on trade-off between drain resistance and drain-source capacitance of source field plate GaN HEMT

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::0833c47daad19da371423b1bd6843e25
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100678948

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 4 4

Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Publikováno v: JPN. J. APPL. PHYS.. 54(no. 4)

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::37718b7b8a5569c8c454a47e9a0570f4
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100659581

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 5 5

Simulation study and reduction of reverse gate leakage current for GaN HEMTs

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::7fe96f6cdc6d02387de51c1d22a9a6d9
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100659716

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 6 6

Mechanism study of gate leakage current for AlGaN/GaN HEMT structure under high reverse bias by TSB model and TCAD simulation

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, Yamanaka, K., MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::687326743c16a8b623e9a2be30412ec7
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100659713

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 7 7

Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::1c4649e4efe3df7710191dd3a398a462
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100659707

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 8 8

トランジスタ動作時における GaN HEMT ゲートリークのデバイスシミュレーションによる解析

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::eb5c0faa12064fa1bb24ae0e14939355
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100659763

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 9 9

デバイスシミュレーションによるGaN HEMTのゲートリークの解析

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::9f44a8cc0f07f1882e8694273d3408fa
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100642427

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat výsledek číslo 10 10

Fabrication of InP/InGaAs SHBT on Si Substrate by Using Transferred Substrate Process

Autor: Yamaguchi, Yuutarou, Sagai, Takeru, MIYAMOTO, YASUYUKI

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::1a2b75d78194f4394090ea7ff2c1780c
http://t2r2.star.titech.ac.jp/cgi-bin/publicationinfo.cgi?q_publication_content_number=CTT100628834

Zobrazit plný text záznamu

Vybrat vše | Vybrané výsledky:

1
2
Další »
[2]

Vyhledávací nástroje:

RSS
Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání

Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR

Zdroje

Pouze tištěné dokumenty

Zahrnout EIZ

1 jpn. j. appl. phys.
1 電子情報通信学会論文誌. c, エレクトロニクス

14 OpenAIRE

Od:

do:

Možnosti vyhledávání

Tematická mapa
Historie vyhledávání
Pokročilé vyhledávání

Objevte více

Abecední procházení

Hledáte pomoc?

Tipy pro vyhledávání

načítá se......