Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Yakushevich, H.S."'
Autor:
Lastovskii, S.B., Gusakov, V. E., Markevich, Vladimir, Peaker, Anthony, Yakushevich, H.S., Korshunov, F. P., Murin, L. I.
Publikováno v:
Lastovskii, S B, Gusakov, V E, Markevich, V, Peaker, A, Yakushevich, H S, Korshunov, F P & Murin, L I 2017, ' Radiation-induced interstitial carbon atom in silicon: Effect of charge state on annealing characteristics ', Physica Status Solidi. A: Applications and Materials Science . https://doi.org/10.1002/pssa.201700262
We present experimental and theoretical results showing that the migration of interstitial carbon atom (Ci) in silicon depends on its charge state. The experimental results were obtained from the analysis of changes in concentrations of the Ci defect
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______3818::1345acaae1ceb1004d1d7ed3187fa9bc
https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/radiationinduced-interstitial-carbon-atom-in-silicon-effect-of-charge-state-on-annealing-characteristics(32344d89-42e9-4bbf-a289-aa9d6909648b).html
https://www.research.manchester.ac.uk/portal/en/publications/radiationinduced-interstitial-carbon-atom-in-silicon-effect-of-charge-state-on-annealing-characteristics(32344d89-42e9-4bbf-a289-aa9d6909648b).html
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nitescu, Andrei1 (AUTHOR) andrei.nitescu@infim.ro, Besleaga, Cristina1 (AUTHOR) cristina.besleaga@infim.ro, Nemnes, George Alexandru2,3 (AUTHOR) nemnes@solid.fizica.unibuc.ro, Pintilie, Ioana1 (AUTHOR) ioana@infim.ro
Publikováno v:
Sensors (14248220). Jun2023, Vol. 23 Issue 12, p5725. 16p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kovalchuk, N. S., Lastovskii, S. B., Odzhaev, V. B., Petlitskii, A. N., Prosolovich, V. S., Shestovskii, D. V., Yavid, V. Yu., Yankovskii, Yu. N.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Dec2023, Vol. 52 Issue 6, p504-509, 6p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Ceponis, Tomas1 (AUTHOR) jevgenij.pavlov@tmi.vu.lt, Lastovskii, Stanislau2 (AUTHOR) lastov@physics.by, Makarenko, Leonid3 (AUTHOR) makleo@mail.ru, Pavlov, Jevgenij1 (AUTHOR) kornelijus.pukas@tmi.vu.lt, Pukas, Kornelijus1 (AUTHOR) eugenijus.gaubas@ff.vu.lt, Gaubas, Eugenijus1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Materials (1996-1944). Dec2020, Vol. 13 Issue 24, p5684. 1p.
Autor:
Ceponis, Tomas1 (AUTHOR) laimonas.deveikis@tmi.vu.lt, Deveikis, Laimonas1 (AUTHOR) jevgenij.pavlov@tmi.vu.lt, Lastovskii, Stanislau2 (AUTHOR) lastov@physics.by, Makarenko, Leonid3 (AUTHOR) makleo@mail.ru, Pavlov, Jevgenij1 (AUTHOR) kornelijus.pukas@tmi.vu.lt, Pukas, Kornelijus1 (AUTHOR) vytautas.rumbauskas@ff.vu.lt, Rumbauskas, Vytautas1 (AUTHOR) eugenijus.gaubas@ff.vu.lt, Gaubas, Eugenijus1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Sensors (14248220). Dec2020, Vol. 20 Issue 23, p6884-6884. 1p.