Zobrazeno 1 - 10
of 110
pro vyhledávání: '"Yadav, Ajeet"'
Here, we propose a Charge Plasma (CP)-based Germanium Double Gate Tunnel Field-Effect Transistor (Ge-DGTFET) device structure, where a CP is induced in the heavily doped source region using the work function engineering of source electrode. The CP en
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.13699
Autor:
Roshan, Uditha a, Dai, Yuchen b, Yadav, Ajeet Singh a, Hettiarachchi, Samith a, Mudugamuwa, Amith a, Zhang, Jun a, c, ⁎, Nguyen, Nam-Trung a, ⁎⁎
Publikováno v:
In Sensors and Actuators: B. Chemical 1 January 2025 422
Publikováno v:
In Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 5 December 2024 702 Part 2
Autor:
Ahmad, Javed1 javedkgmc@yahoo.in, Yadav, Ajeet Kumar2, Patel, Brijmohan3, Shrivastava, Vivek Kumar3, Rajan, Amit Kumar4
Publikováno v:
Asian Journal of Medical Sciences. Oct2024, Vol. 15 Issue 10, p204-209. 6p.
Publikováno v:
In Journal of Rock Mechanics and Geotechnical Engineering February 2024 16(2):514-531
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability February 2024 153
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B January 2024 299
Publikováno v:
In Applied Acoustics October 2023 213
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yadav, Ajeet Kumar, Samuel, Cherian
Publikováno v:
Journal of Modelling in Management, 2021, Vol. 17, Issue 2, pp. 456-485.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/JM2-07-2020-0196