Výsledky vyhledávání - "Yabuuchi, Makoto"

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Periodical

A 3-nm FinFET 27.6-Mbit/mm² Single-Port 6T SRAM Enabling 0.48–1.2 V Wide Operating Range With Far-End Pre-Charge and Weak-Bit Tracking

Autor: Aoyagi, Yumito, Nii, Koji, Yabuuchi, Makoto, Tanaka, Tomotaka, Ishii, Yuichiro, Osada, Yoshiaki, Nakazato, Takaaki, Wang, Isabel, Hsu, Yu-Hao, Cheng, Hong-Chen, Liao, Hung-Jen, Chang, Tsung-Yung Jonathan

Publikováno v: IEEE Journal of Solid-State Circuits; 2024, Vol. 59 Issue: 4 p1225-1234, 10p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Feasibility of Ultra-Thin Films for Gate Insulator by Limited Reaction Sputtering Process

Autor: Sasaki, Kimihiro, Kawai, Kentaro, Hasu, Tatsuhiro, Yabuuchi, Makoto, Hata, Tomonobu

Publikováno v: IEICE Transactions on Electronics. (2):218-222

A new sputtering technique named "limited reaction sputtering" is proposed and the feasibility toward an ultra-thin gate insulator is investigated. 5-10 nm thick ZrO 2 films were prepared on Si(100) substrates and analyzed by XPS, HR-RBS and RHEED. S

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::85d12586a45f2fdb6412098bfae0762b
http://hdl.handle.net/2297/34941

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání