Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Y.Y. Chiang"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Autor:
Y.Y. Chiang
Publikováno v:
Radiotherapy and Oncology. 123:S738-S739
Autor:
Y.S. Hsieh, G. Braithwaite, J.H. Ho, J.K. Chen, C.C. Huang, Ming-Ren Lin, N. Gerrish, Y.T. Loh, F. Singaporewala, Ariel Liu, W.T. Shiau, Y.Y. Chiang, J.R. Hwang, Richard Hammond, H.K. Lee, Mayank T. Bulsara, T.P. Chen, S.C. Chien, T.M. Shen, M. Currie, Qi Xiang, S.M. Ting, F. Wen, A. Lochtefeld
Publikováno v:
2003 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37407).
An 86% electron mobility improvement and over 20% I/sub dn-sat/ enhancement were demonstrated for a 70 nm strained-Si CMOS process fabricated on SiGe virtual substrates. Compared to a bulk-Si CMOS process, the strained-Si process delivered 95% higher
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.