Zobrazeno 1 - 10
of 237
pro vyhledávání: '"Y.W. Teh"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
F. Jamin, C. Wann, Victor Chan, N. Rovedo, J. Sudijono, C.W. Lai, L. Kim, See-Hun Yang, Elaine Hsuen Lim, Wenhe Lin, Rajesh Rengarajan, K.Y. Lim, Phung T. Nguyen, Z. Luo, Heon Lee, J. Lee, I. Yang, Hung Ng, Y.W. Teh
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 50:579-586
We have developed a robust 45 nm gate-length CMOSFET for 90 nm node high performance application. Aggressive gate length and gate dielectric scaling along with optimized strain engineering enable high performance device similar to 65 nm node CMOSFET
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::03b8f017101933bb174cd2b72a4afd62
https://doi.org/10.1016/j.sse.2006.03.031
https://doi.org/10.1016/j.sse.2006.03.031
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
J. Pape, Nam-Sung Kim, Martin Ostermayr, Deleep R. Nair, Melanie J. Sherony, Craig S. Lage, Jaeger Daniel, Franck Arnaud, Y. Gao, Deok-Hyung Lee, H.S. Yang, C. Schiller, X. Chen, S. Stiffler, An L. Steegen, Kenneth J. Stein, J. Sudijono, Christopher V. Baiocco, Haoren Zhuang, Robert C. Wong, Y. Takasu, Ho-Kyu Kang, Sayeed A. Badrudduza, J. Wallner, Laegu Kang, James Chingwei Li, Aaron Thean, Y.W. Teh, L. Zhuang, R. Hasumi, S. Samavedam, D.P. Sun, Mukesh Khare
Publikováno v:
2008 IEEE International Electron Devices Meeting.
This paper describes SRAM scaling for 32 nm low power bulk technology, enabled by high-K metal gate process, down to 0.149 mum2 and 0.124 mum2. SRAM access stability and write margin are significantly improved through a 50% Vt mismatch reduction, tha
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bcc347a597544ead57bce41996b65ef0
https://doi.org/10.1109/iedm.2008.4796660
https://doi.org/10.1109/iedm.2008.4796660
Autor:
C. Wann, N. Rovedo, K.Y. Lim, I. Yang, Hung Ng, Victor Chan, J. Lee, J. Sudijono, Phung T. Nguyen, Y.W. Teh, Wenhe Lin, Elaine Hsuen Lim, Heon Lee, Rajesh Rengarajan, F. Jamin, L. Kim, See-Hun Yang, C.W. Lai, Z. Luo
Publikováno v:
Proceedings of 35th European Solid-State Device Research Conference, 2005. ESSDERC 2005..
In this paper, a study on middle-of-line (MOL) process on transistor performance and reliability was presented based on 300mm experimental data. The major MOL parameters that are affecting device performance and reliability are MOL thermal expense an
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b9449b5444a6de313e61db146e28c56f
https://doi.org/10.1109/essder.2005.1546673
https://doi.org/10.1109/essder.2005.1546673
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.