Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Y.R. Ryu"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Lee, D.-Y.R. Ryu
Publikováno v:
Toxicology Letters. 295:S197
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::174b65c38d277e8c77d947f4fd9e56da
https://doi.org/10.1016/j.toxlet.2018.06.880
https://doi.org/10.1016/j.toxlet.2018.06.880
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 261:502-507
For growth of metal oxide materials, we introduce hybrid beam deposition (HBD) as a novel growth technique. The HBD is developed by modified techniques out of pulsed laser deposition (PLD), molecular beam epitaxy (MBE), and chemical vapor deposition
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::767465600e8f18cf3534eb8101472a07
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.09.037
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2003.09.037
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 219:419-422
For the first time homostructural zinc-oxide (ZnO)-based p–n juctions are successfully fabricated. As-doped ZnO films are used for the p-type sides and Al-doped ZnO films for the n-type sides of p–n junctions. ZnO films have been deposited on p-t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::74d2ec586abded528954d807a606730d
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00731-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00731-4
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
ZnO films were synthesized on GaAs substrates at different growth conditions by pulse laser deposition. High-purity (99.999%) oxygen was used as the ambient gas. The pressure of the ambient oxygen gas for ZnO film growth was varied from 20 to 50 mTor
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::76e5283c1aa4b007263ce976a4588b13
https://doi.org/10.1063/1.373643
https://doi.org/10.1063/1.373643
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 216:326-329
ZnO films were synthesized by pulsed laser deposition (PLD) on GaAs and α-Al 2 O 3 substrates. The properties of ZnO films on GaAs and α-Al 2 O 3 have been investigated to determine the differences between epitaxial and textured ZnO films. ZnO film
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b24a4fc96460931fa1db7f5ff20201d4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00434-6
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00434-6
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 216:330-334
p-Type ZnO obtained by arsenic (As) doping is reported for the first time. Arsenic-doped ZnO (ZnO : As) films have been deposited on (0 0 1)-GaAs substrates by pulsed laser ablation. The process of synthesizing p-type ZnO : As films was performed in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6b6d29f75770bf62796e50116d694fea
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00437-1
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(00)00437-1
Publikováno v:
Applied Surface Science. :496-499
ZnSe and ZnO films have been deposited on (001) GaAs substrates under different pressures by pulsed-laser deposition (PLD) with a 193 nm laser beam. The ambient pressures were changed from 8 X 10 -6 to 5 X 10 -2 Torr with high-purity argon gas for Zn
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6d7e3afcca738d4ac71c9823237a4545
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(97)00681-8
https://doi.org/10.1016/s0169-4332(97)00681-8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.