Zobrazeno 1 - 10
of 51
pro vyhledávání: '"Y.B. Zou"'
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 58, Iss , Pp 107472- (2024)
Electron emission characteristics, mainly the intrinsic secondary electron yield, of an insulator material (glass SiO2) are studied by a Monte Carlo simulation method. In the modeling of electron inelastic scattering, we have employed the Levine-Loui
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/769fa670913a447b8ea8d4d7878df18e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Medical Physics. 47:759-771
Liquid water being the major constituent of the human body, is of fundamental importance in radiobiological research. Hence, the knowledge of electron-water interaction physics and particularly the secondary electron yield is essential. However, to d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a31b463c4a4c310df46f611f3944057b
https://doi.org/10.1002/mp.13913
https://doi.org/10.1002/mp.13913
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Measurement. 123:150-162
Model-based library (MBL) method, based on the fundamental physics of electron-solid interaction and Monte Carlo simulation of electron transport and secondary electron (SE) cascades, is an ideal algorithm in critical dimension (CD) metrology by CD-S
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::366a578360cf67eef92b31fee625d287
https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.02.069
https://doi.org/10.1016/j.measurement.2018.02.069
Autor:
Ailin Zhang, Yan Wu, Junwu Zhang, Andy Xie, Macro Wu, Honyin Chiu, Y.B. Zou, Simon He, Thomas Zhao, Roy K.-Y. Wong, Henry Liao, Jeff Zhang, Chunhua Zhou, Martin Zhang, Seiya Li, John Lee, Chen Po-Hui
Publikováno v:
2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD).
A novel strain engineering is reported to realize enhancement-mode high electron mobility transistors (HEMTs) with ultralow specific on-resistance ( $\boldsymbol{R}_{\mathbf{on},\mathbf{sp}}$ ) fabricated on 200 mm CMOS-compatible process platform. I
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ece6a0822bcdd3f61a1a4b19dd5c4c6a
https://doi.org/10.1109/ispsd.2019.8757694
https://doi.org/10.1109/ispsd.2019.8757694
Autor:
Ray Zhang, Andy Xie, Honyin Chiu, Diane Zhou, Justin Zhang, Simon He, Kenny Cao, Y.B. Zou, Tiger Hu, Fanny Chen, Sichao Li, Ronghui Hao, Junwu Zhang, Roy K.-Y. Wong, Martin Zhang, Allen Chou, Chen Longyun, John Lee, Thomas Zhao, Chuan-Yi Yang, Chen Po-Hui, Jeff Zhang, Marco Wu, Seiya Lee, Jiayun Shen, Huang Chen
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 36:064001
In this paper, we discuss possible solutions to overcome the critical issues for GaN-on-Si power device popularization including cost competitiveness to Si power MOSFETs, system level reliability verification, and electromagnetic interference (EMI) m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::50c5170e6ef795a3259d63deca42cdf9
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abe551
https://doi.org/10.1088/1361-6641/abe551
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.