Zobrazeno 1 - 10
of 128
pro vyhledávání: '"Y. Ushiku"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Kniha
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 18:19-25
The origin and the generation mechanism of ion implantation-induced dislocations is investigated with an Si/sub 3/N/sub 4/ band line/space pattern. The Si/sub 3/N/sub 4/ film-edge stress not only causes dislocation propagation but also causes the for
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6afb468d3b15ab35fe7ced14a291ee6b
https://doi.org/10.1109/tsm.2004.841817
https://doi.org/10.1109/tsm.2004.841817
Autor:
T. Itani, H. Murayama, M. Yoshioka, Y. Imaoka, T. Kusuda, K. Suguro, T. Owada, Y. Ushiku, T. Taniguchi, T. Iinuma, Takahiro Ito, M. Tamura
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing. 16:417-422
Flash lamp annealing (FLA) technology is proposed as a new method of activating implanted impurities. By optimizing FLA and implantation conditions, junction depth (Xj) at the concentration of 1 /spl times/ 10/sup 18/ cm/sup -3/ and the sheet resista
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e934e68a930d0a268fc452dd37309c31
https://doi.org/10.1109/tsm.2003.815621
https://doi.org/10.1109/tsm.2003.815621