Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"Y. Trouiller"'
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. :61-64
Manufacturing the next generation of devices will demand lithographic capability in the sub 0.18 μm range. The phase shift mask (PSM) is a key emerging technology thought to be extending 248 nm optical lithography. Using the Levenson PSM technique a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5c533d96766fbe9fa1900525f06c83c4
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00013-6
https://doi.org/10.1016/s0167-9317(98)00013-6
Autor:
V. Arnoux, L. Depre, Zhipan Li, Vincent Farys, Y. Trouiller, Emek Yesilada, A. Serebriakov, C. Alleaume
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
Source Mask Optimization (SMO) technique is an advanced RET with the goal of extending optical lithography lifetime by enabling low k1 imaging [1,2]. Most of the literature concerning SMO has so far focused on PV (process variation) band, MEEF and PW
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8db210ea69158fafb37ba92ad29f7b8c
https://doi.org/10.1117/12.864246
https://doi.org/10.1117/12.864246
Publikováno v:
SPIE Proceedings.
At 32 nm node and beyond, one of the most critical processes is the holes patterning due to the Depth of Focus (DOF) that becomes rapidly limited. Thus the use of Sub Resolution Assist Features (SRAF) becomes mandatory to keep DOF at a sufficient lev
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3e65840d5ab39c508cff45a3e3843a55
https://doi.org/10.1117/12.829894
https://doi.org/10.1117/12.829894
Copper dual damascene integration using organic low k material: construction architecture comparison
Autor:
P. Berruyer, O. Demolliens, C. Verove, M. Fayolle, A. Roman, Y. Trouiller, Yves Morand, Didier Louis, M. Cochet, M. Assous, Gérard Passemard
Publikováno v:
Proceedings of the IEEE 2000 International Interconnect Technology Conference (Cat. No.00EX407).
This paper presents three integration schemes of copper with a pure organic low k material (SiLK/sup TM/, Dow Chemical Co., k=2.8). We will compare two trench first architectures, leading to a self or not self aligned structure, with the more convent
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7fa53affc276096488dae46c764f0ba5
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854332
https://doi.org/10.1109/iitc.2000.854332
Publikováno v:
Digest of Papers. Microprocesses and Nanotechnology'98. 198 International Microprocesses and Nanotechnology Conference (Cat. No.98EX135).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::63ab9fa5e06364121cf0bac7913fbe5c
https://doi.org/10.1109/imnc.1998.729976
https://doi.org/10.1109/imnc.1998.729976
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.