Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Y. Toyosihma"'
Autor:
Hiroshi Itokawa, Ichiro Mizushima, Atsushi Azuma, Hideaki Harakawa, T. Morooka, Akiko Nomachi, Fukushima Takashi, Nobutoshi Yasutake, L. Zhang, Y. Toyosihma
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 53:694-700
This paper describes the fabrication process and device performance of complimentary metal oxide field effect transistor (CMOSFET) with direct silicon bonded (DSB) substrate. This works offers the first comprehensive evaluation of source/drain engine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::52f14529e9d375d25ff7c00baa2ea4f4
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.03.016
https://doi.org/10.1016/j.sse.2009.03.016
Comprehensive study of S/D engineering for 32 nm node CMOS in direct silicon bonded (DSB) technology
Autor:
Fukushima Takashi, Hideaki Harakawa, Atsushi Azuma, T. Morooka, Ichiro Mizushima, Hiroshi Itokawa, L. Zhang, Y. Toyosihma, Nobutoshi Yasutake, Akiko Nomachi
Publikováno v:
ESSDERC 2008 - 38th European Solid-State Device Research Conference.
This paper describes the fabrication process and device performance of CMOSFET with direct silicon bonded (DSB) substrate. This works offers the first comprehensive evaluation of source/drain engineering for DSB devices. Scanning spreading resistance
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::506a854c2bb1c5a2ba2a3ef7fecc127f
https://doi.org/10.1109/essderc.2008.4681765
https://doi.org/10.1109/essderc.2008.4681765
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.