Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Y. Tenoh"'
Autor:
Y. Yamagami, Y. Tenoh, T. Suzuki, A. Shibayama, T. Yoshizawa, K. Nii, Hiroshi Makino, S. Iwade, Yasumasa Tsukamoto, S. Imaoka
Publikováno v:
2003 Symposium on VLSI Circuits. Digest of Technical Papers (IEEE Cat. No.03CH37408).
In sub 100 nm generation, gate tunneling leak current increases and dominates total standby leak current of LSI based on decreasing gate oxide thickness. We propose reducing gate leak current in SRAM using Local DC Level Control (LDLC) and an Automat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6e83eecf2d6782ff1844d48783144f5d
https://doi.org/10.1109/vlsic.2003.1221217
https://doi.org/10.1109/vlsic.2003.1221217
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.