Zobrazeno 1 - 10
of 5 382
pro vyhledávání: '"Y. Saitoh"'
Autor:
H. Amekura, A. Chettah, K. Narumi, A. Chiba, Y. Hirano, K. Yamada, S. Yamamoto, A. A. Leino, F. Djurabekova, K. Nordlund, N. Ishikawa, N. Okubo, Y. Saitoh
Publikováno v:
Nature Communications, Vol 15, Iss 1, Pp 1-10 (2024)
Abstract Injecting high-energy heavy ions in the electronic stopping regime into solids can create cylindrical damage zones called latent ion tracks. Although these tracks form in many materials, none have ever been observed in diamond, even when irr
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d10612578210400e9ff2aeb7c49fb067
Autor:
H. Fujiwara, R. Y. Umetsu, F. Kuroda, J. Miyawaki, T. Kashiuchi, K. Nishimoto, K. Nagai, A. Sekiyama, A. Irizawa, Y. Takeda, Y. Saitoh, T. Oguchi, Y. Harada, S. Suga
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-9 (2021)
Abstract Band-gap engineering is one of the fundamental techniques in semiconductor technology and also applicable in next generation spintronics using the spin degree of freedom. To fully utilize the spintronic materials, it is essential to optimize
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d4e51d0747f44c4cbf723064e474b5ea
Autor:
H. Amekura, M. Toulemonde, K. Narumi, R. Li, A. Chiba, Y. Hirano, K. Yamada, S. Yamamoto, N. Ishikawa, N. Okubo, Y. Saitoh
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-11 (2021)
Abstract Damaged regions of cylindrical shapes called ion tracks, typically in nano-meters wide and tens micro-meters long, are formed along the ion trajectories in many insulators, when high energy ions in the electronic stopping regime are injected
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/823b375f8dfb4f7286f25bd8b1a1bf0a
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 541:200-204
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H Amekura, K Narumi, A Chiba, Y Hirano, K Yamada, S Yamamoto, N Ishikawa, N Okubo, M Toulemonde, Y Saitoh
Publikováno v:
Physica Scripta. 98:045701
Mechanism of the ion track formation in crystalline silicon (c-Si) is discussed, particularly under 1–9 MeV C60 ion irradiation. In this energy region, the track formation was not expected because the energy E was much lower than the threshold of E
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.