Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Y. Mohamed Razman"'
Autor:
M. H. Siti Maisurah, F. Nazif Emran, Idham M. Norman Fadhil, A. I. Abdul Rahim, Y. Mohamed Razman, Abdul Manaf Hashim, Vijay K. Arora
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings.
A Voltage-Controlled Oscillator (VCO) for 1.8GHz application has been designed using a combination of both 0.13um and 0.35um CMOS technology. The VCO has a large tuning range, which is from 1.39GHz to 1.91GHz, using a control voltage from 0 to 3V. Th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::67f6eb66137f364c98cc4b3a86f2b9ca
https://doi.org/10.1063/1.3586970
https://doi.org/10.1063/1.3586970
Autor:
M. H. Siti Maisurah, F. Nazif Emran, Fadhil Idham M. Norman, Y. Mohamed Razman, A. I. Abdul Rahim
Publikováno v:
APCCAS
This paper presents the design of a 2.4GHz LC VCO implemented using CMOS technology. Designed using a combination of both 0.13um and 0.35um CMOS process, this cross-coupled CMOS LC VCO achieves a simulated phase noise of −114.8dBc/Hz at 1MHz of off
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::322ca63fd39d74ccab1c742273fe0273
https://doi.org/10.1109/apccas.2010.5774910
https://doi.org/10.1109/apccas.2010.5774910
Autor:
M. Norman Fadhil Idham, A.M. Abdul Fatah, Hariyadi Soetedjo, Idris Sabtu, A.R. Ahmad Ismat, Y. Mohamed Razman, O. Nurul Afzan
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics.
This paper presents a novel technique to obtain device characteristics of high electron mobility transistors (HEMT) structures based on the backgate contact method, thus avoiding the need for complete gate formation. The gate contact was prepared on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83b51562132679f959d6c6a9b8fef8cd
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.380733
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.380733
Autor:
R. Richard, M. S. Khairul Anuar, Hariyadi Soetedjo, A. R. Saadah, Y. Mohamed Razman, S. M Sufian, A. Mohd Sharizal, T. Goh Boon, A.M. Abdul Fatah
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics.
A Bragg mirror structure is an essential part for vertical cavity surface emission laser (VCSEL) applications. High optical reflectance at required stopband width is one of major concern by means of application requirements. For this purpose, Bragg m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a027876b557d574e429bd0213f5cecdf
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.381085
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.381085
Autor:
Pankaj Kumar Choudhury, Y. Mohamed Razman, M. S. Khairul Anuar, S. M. Mitani, A. Mohd Sharizal, A.F. Awang Mat
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics.
The paper deals with the development of Ni/Au/Ge/Au ohmic contacts for the fabrication of VCSELs to be operated in the 980 nm of the electromagnetic (EM) spectrum. The VCSEL structures are grown by the process of molecular beam epitaxy (MBE) whereas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6a88aeea49640d35c82b4748f82b0fb1
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.381084
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.381084
Autor:
A.M. Abdul Fatah, A.I. Ahmad Ismat, Y. Mohamed Razman, S. Rasidah, M. Norman Fadhil Idham, D. Asban
Publikováno v:
2006 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics.
Metamorphic InAlAs/InGaAs High Electron Mobility Transistors (HEMT) has demonstrated several advantages over Pseudomorphic-HEMT on GaAs and Lattice Matched-HEMT on InP substrate. The high Indium content of the channel (50%) lattice matched to the sub
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4b97a663f8a31987e0bc7b31c66c76d8
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.380734
https://doi.org/10.1109/smelec.2006.380734
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.