Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Y. Le Bellego"'
Autor:
Y. Le Bellego, Sophie Bouchoule, P Win, H Sik, Gilles Patriarche, P Boulet, Abdallah Ougazzaden, G Le Mestreallan
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
Selective planar regrowth of high resistivity (as high as 10 9 Ω cm) Fe-doped semi-insulating InP epitaxial layers has been studied to fabricate current confining layers for buried heterostructure lasers. The epitaxial layers were grown on patterned
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1cca064ea593676ef3beb197203dd9a7
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00706-4
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(98)00706-4
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 145:297-301
We propose that the desorption of arsenic trimers from the 2 × 2 reconstructed (111)B surface governs the growth GaAs (111)B for large V/III ratio and high temperature. The measured activation energy of the trimer desorption is 13 kcal/mol in the As
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::918112cea45890f31a11c253cdf321ca
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91066-9
https://doi.org/10.1016/0022-0248(94)91066-9
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 72:1409-1411
A detailed study on the optical quality of atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy grown GaAs(1−x)Nx epilayers (on GaAs substrates) in which the N incorporation is accomplished using dimethylhydrazine precursor is reported. We show he
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::65376d2a67724306bf394adc0b0116e1
https://doi.org/10.1063/1.120579
https://doi.org/10.1063/1.120579
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 70:2861-2863
GaAsN layers with good structural quality and surface morphology have been successfully grown on a GaAs substrate using atmospheric pressure metal organic vapor phase epitaxy. A new combination of precursors namely, dimethylhydrazine for nitrogen and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0a2a99211b6444701e4f39026d4a796a
https://doi.org/10.1063/1.119025
https://doi.org/10.1063/1.119025
Publikováno v:
[Proceedings 1991] Third International Conference Indium Phosphide and Related Materials.
The fabrication and performance of a graded avalanche photodiode structure with a separate GaInAs photo-absorption layer and AlInAs avalanche region to achieve a pure electron injection are discussed. The quality of AlInAs as the avalanche region has
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::83a23dacca620a701d540d37993447b7
https://doi.org/10.1109/iciprm.1991.147410
https://doi.org/10.1109/iciprm.1991.147410
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1990, 25 (9), pp.941-945. ⟨10.1051/rphysap:01990002509094100⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1990, 25 (9), pp.941-945. ⟨10.1051/rphysap:01990002509094100⟩
Des films de SiNx ont été déposés à basse température par UVCVD pour la passivation de photodiodes pin en GaInAs. La structure physique du SiNx a été évaluée par spectroscopie IR et ses caractéristiques électriques grâce à la réalisati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::2c232db1bf11466537f59e45a595576f
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00246260/file/ajp-rphysap_1990_25_9_941_0.pdf
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00246260/file/ajp-rphysap_1990_25_9_941_0.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.