Zobrazeno 1 - 10
of 149
pro vyhledávání: '"Y. Irokawa"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2018 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1b25f3c2ee34303bb50029aecbb89686
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-4-03
https://doi.org/10.7567/ssdm.2018.ps-4-03
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Hyomen Kagaku. 28:586-592
We report the photochemical reaction of volatile organic compounds (VOC's), such as acetaldehyde and toluene, over nitrogen doped TiO2(TiO-N) under visible light irradiation, using liquid chromatography (LC), gas chromatography (GC) and gas chromatog
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::36fe1fd9fda4b63bae44f8eac23f60c0
https://doi.org/10.1380/jsssj.28.586
https://doi.org/10.1380/jsssj.28.586
Autor:
Stephen J. Pearton, A. H. Onstine, Jihyun Kim, Chang Chi Pan, Yoshitaka Nakano, C. R. Abernathy, Tetsu Kachi, Fan Ren, Brent P. Gila, J.-I. Chyi, Y. Irokawa, Masayasu Ishiko, G.-T. Chen
Publikováno v:
physica status solidi (c). 2:2668-2671
The initial demonstration of an enhancement mode MgO/p-GaN metal-oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) utilizing Si+ ion implanted regions under the source and drain to provide a source of minority carriers for inversion was reported.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0a07272d8a8998d3ea4d045be855286
https://doi.org/10.1002/pssc.200461280
https://doi.org/10.1002/pssc.200461280
Autor:
Brent P. Gila, Jihyun Kim, K.H. Baik, Stephen J. Pearton, C. R. Abernathy, Chang Chi Pan, Fan Ren, G.-T. Chen, Y. Irokawa, Jen-Inn Chyi, Soon-oh Park
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 48:827-830
The fabrication of GaN merged p–i–n/Schottky (MPS) diodes using Si+ ion implantation into p-epi layers on bulk, free-standing GaN substrates is reported. Diode diameters from 50 to 500 μm were investigated. These initial MPS diodes show larger t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::af02fd973d296b30e1687b0acf1b527a
https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.09.018
https://doi.org/10.1016/j.sse.2003.09.018
Autor:
Brent P. Gila, J.-I. Chyi, C. R. Abernathy, Chang Chi Pan, Y. Irokawa, K.H. Baik, G.-T. Chen, Fan Ren, Stephen J. Pearton, Jihyun Kim
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 33:426-430
Type conversion of p-GaN by direct Si+ ion implantation and subsequent annealing was demonstrated by the fabrication of lateral Schottky diodes. The Si+ activation percentage was measured as a function of annealing time (30–300 sec) and temperature
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cf9aa3b7178a38060c50b8efc5723ad3
https://doi.org/10.1007/s11664-004-0196-5
https://doi.org/10.1007/s11664-004-0196-5