Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Y. Higashira"'
Autor:
Kazuhito Yasuda, T. Kobayashi, H. Goto, Y. Higashira, Y. Agata, Ryo Torii, S. Fujii, R. Tamura, B. S. Chaudhari, Madan Niraula
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 49:6996-6999
The properties of iodine-doped (211) CdTe layers grown on (211) Si substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy at high substrate temperatures from 325°C to 450°C were studied. The growth rate of the doped layer increased with increasing substrat
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2b45d5dc8055fd1fa1738898798a1d1b
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08420-3
https://doi.org/10.1007/s11664-020-08420-3
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 48:7680-7685
Metalorganic vapor phase epitaxy of uniform and thick single crystal CdTe on (211) Si substrates has been studied for x-ray imaging detector development. Periodic growth interruptions are introduced during thick CdTe layer growth in order to improve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::33d8eab1fb5e7b6333eb1c55aaaede24
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07601-z
https://doi.org/10.1007/s11664-019-07601-z
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.