Zobrazeno 1 - 10
of 13
pro vyhledávání: '"Y. Hellouin"'
Autor:
Y. Hellouin, M. Garrigues
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 28:928-936
Experimental measurements of the probability of emission of hot electrons into the oxide of silicon-on-sapphire (SOS) MOS devices are presented for high doping levels. The experimental method is derived from the optically induced hot electron experim
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae081f1826f6b0ced26bb6fe8741fc34
https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20461
https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20461
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 58:2672-2676
The influence of a strong magnetic field (up to 12 T), parallel to the Si‐SiO2 interface on the injection of hot electrons from Si into SiO2, has been measured in the case where the heating electric field is uniform and normal to the interface. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::78f72223edd17b54ccadda9411fd7d2e
https://doi.org/10.1063/1.335901
https://doi.org/10.1063/1.335901
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 61:5342-5345
The probability of hot‐hole injection has been measured both on metal nitride‐oxide silicon (MNOS) and metal‐oxide‐semiconductor (MOS) structures in the case where the silicon electric field is one dimensional and normal to the interface. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e0a570f054ae0b4eee0e7171a35a74a6
https://doi.org/10.1063/1.338271
https://doi.org/10.1063/1.338271
Publikováno v:
min - Minimally Invasive Neurosurgery. 16:183-189
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3508f5e5f0a47a9ff791773c2624c3e1
https://doi.org/10.1055/s-0028-1090510
https://doi.org/10.1055/s-0028-1090510
Publikováno v:
Revue de Physique Appliquée
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.619-624. ⟨10.1051/rphysap:019780013012061900⟩
Revue de Physique Appliquée, Société française de physique / EDP, 1978, 13 (12), pp.619-624. ⟨10.1051/rphysap:019780013012061900⟩
An experimental method is described for measuring electrons injection from the electrical substrate of a silicon-on-sapphire IGFET into the gate insulator at low operating voltage. The aim of these experiments is to identify the relevant parameters w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::aff4714150769dcdd8d83f644833f2bf
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244513/document
https://hal.archives-ouvertes.fr/jpa-00244513/document
Publikováno v:
Neurochirurgia. 16(6)
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid________::6602ebd6ed32a7fa93f37a966fc34b84
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/4767479
https://pubmed.ncbi.nlm.nih.gov/4767479
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.