Zobrazeno 1 - 10
of 15
pro vyhledávání: '"Y. Gourdel"'
Autor:
Jean-Yves Duboz, Y. Gourdel, J. P. Truffer, Eric Frayssinet, J. L. Reverchon, Julien Brault, Shailendra Bansropun, Eric Costard, K. Robin, J. A. Robo
Publikováno v:
EAS Publications Series. 37:207-215
The fast development of nitrides has given the opportunity to investigate AlGaN as a material for ultraviolet detection. A camera based on such a material presents an extremely low dark current at room temperature. It can compete with technologies ba
Autor:
Dominique Carisetti, Hervé Blanck, Arnaud Curutchet, Didier Floriot, P. Mezenge, Nathalie Malbert, J. Bataille, Jan Grünenpütt, Y. Gourdel, Benoit Lambert, Nathalie Labat, Laurent Brunel
Publikováno v:
Microelectronics Reliability
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9-11), pp.1450-1455
Microelectronics Reliability, Elsevier, 2013, 53 (9-11), pp.1450-1455
International audience; GaN based technologies are promising in terms of electrical performances for power and high frequencies applications and their reliability assessment remains a burning issue. Thus, a good understanding of their degradation mec
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::21bf8e7a7f5f2c342dbe382e8297f694
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002643
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01002643
Publikováno v:
ChemInform. 24
Publikováno v:
ChemInform. 24
Autor:
Z. Ouarch, T. Dean, Tibault Reveyrand, Erwan Morvan, M. A. Di-Forte Poisson, Eric Chartier, Raphaël Aubry, N. Sarazin, D. Thenot, T. Bouvet, Jean-Claude Jacquet, Olivier Jardel, Sylvain Delage, D. Lancereau, Didier Floriot, Y. Gourdel, O. Drisse, Christian Dua, Audrey Martin, J.O. McLean, S. Bansropun, A.J. Hydes, Stéphane Piotrowicz, G. Lecoustre, M. Richard
Publikováno v:
IEEE Compound Semiconductor IC Symposium CSICS 2008
IEEE Compound Semiconductor IC Symposium CSICS 2008, Oct 2008, United States. pp 1-4
IEEE Compound Semiconductor IC Symposium CSICS 2008, Oct 2008, United States. pp 1-4
This paper presents the results obtained on X-Band GaN MMICs developed in the frame of the Kerrigan project launched by the European Defense Agency. A new step was achieved, 58 W of output power with 38% PAE in X-Band were obtained using an 18 mm 2 2
Publikováno v:
Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Edition. CLEO '99. Conference on Lasers and Electro-Optics (IEEE Cat. No.99CH37013).
Summary form only given. GaAs is a very interesting material for mid IR nonlinear frequency conversion. To obtain shorter periods several techniques are based on patterning a template substrate thanks to photolithography have been proposed. After hav
Publikováno v:
Electronics Letters. 34:2409
The growth of a 100 µm thick GaAs layer with antiphase domains (APDs) by hydride vapour phase epitaxy on a diffusion bonded stack as the template substrate is reported. The domains are preserved during the growth with straight and vertical boundarie
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.