Zobrazeno 1 - 10
of 1 113
pro vyhledávání: '"Y. Fai"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Brix, Nis1,2 (AUTHOR) nis.brix@gmail.com, Gaml-Sørensen, Anne1 (AUTHOR), Ernst, Andreas1,3 (AUTHOR), Arendt, Linn Håkonsen1,4 (AUTHOR), Lunddorf, Lea Lykke Harrits1 (AUTHOR), Toft, Gunnar5 (AUTHOR), Tøttenborg, Sandra S.6,7 (AUTHOR), Hærvig, Katia Keglberg6 (AUTHOR), Høyer, Birgit Bjerre1,8 (AUTHOR), Hougaard, Karin S.7,9 (AUTHOR), Bonde, Jens Peter E.6,7 (AUTHOR), Ramlau-Hansen, Cecilia Høst1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Fertility & Sterility. Oct2023, Vol. 120 Issue 4, p823-833. 11p.
Autor:
Dae-Won Ha, Jun-Ho Shin, Gwan-Hyeob Koh, H.S. Jeong, Y. Fai, C.W. Jeong, Y.T. Oh, Gitae Jeong, Jonghyun Oh, Ji-Hee Kim, Kinam Kim, Soon-oh Park, Dong-won Lim, Jae-Sung Kim, Young-woo Song, Jeong-Taek Kong, Kyung-Chang Ryoo, J.H. Yoo, Jae-Hyun Park, D.H. Kang, J.H. Park
Publikováno v:
Solid-State Electronics. 52:591-595
We evaluated the limit of scaling bottom electrode contact (BEC) heater size and high resistivity heater to reduce writing current. It was found that the resistivity of heater should be increased for reducing writing current below the heater size of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::dc08e2f15979492b104497b8d792d864
https://doi.org/10.1016/j.sse.2008.01.011
https://doi.org/10.1016/j.sse.2008.01.011
Autor:
Jonghyun Oh, Jae Park, C.W. Jeong, Y.T. Kim, H.S. Jeong, Kyung-Chang Ryoo, Jung-hyeon Kim, Gitae Jeong, Y. Fai, Jae-Sung Kim, Soon-oh Park, Jeong-Taek Kong, Ji-Hee Kim, Dae-Hwan Kang, Dong-won Lim, J.H. Park, Young-woo Song, Y.T. Oh, Jun-Ho Shin, Kinam Kim, Gwan-Hyeob Koh
Publikováno v:
Integrated Ferroelectrics. 90:88-94
We successfully developed 256Mb Phase Change Random Access Memory (PRAM) based on 0.10μ m-CMOS technologies using ring type contact. The writing current with uniform CD process variation of Bottom Electrode Contact (BEC) was achieved by improving CM
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6ebf153ef0989c3ea3b0c3fa1d789cb2
https://doi.org/10.1080/10584580701249298
https://doi.org/10.1080/10584580701249298
Publikováno v:
Cultura Proletaria; 10/10/1936, Vol. 9 Issue 441, p4-4, 1/9p