Zobrazeno 1 - 10
of 34
pro vyhledávání: '"Y. Ebiko"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Saito, T. Shigetoshi, T. Okawa, T. Oinoue, T. Hirano, N. Sumitani, Hayato Iwamoto, Yoshiya Hagimoto, Y. Ebiko, I. Mita, K. Yokochi, Itaru Oshiyama, Y. Kitano
Publikováno v:
2021 5th IEEE Electron Devices Technology & Manufacturing Conference (EDTM).
We have developed a back-illuminated CMOS image sensor (BI -CIS) using a pseudo high refractive index film (pHRF) consisting of an array of minute holes. The new process architecture for the low reflectivity surface is achieved by integrating the dir
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::650672c4d536975295eb294272aa0464
https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420898
https://doi.org/10.1109/edtm50988.2021.9420898
Autor:
H. Yamagishi, Y. Ebiko, K. Tatani, T. Ueno, S. Hida, T. Terada, S. Maeda, F. T. Brady, Y. Isogai, Y. Hagiwara, Y. Moriyama, S. Han, T. Suwa, T. Michiel, T. Murase, A. Basavalingappa, S. Kameda, K. Koiso, Hayato Iwamoto, H. Arai
Publikováno v:
2020 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
A 1280×960 floating diffusion storage global shutter image sensor is implemented in a 3D stacked back illuminated indirect time of flight sensor (iToF). The sensor, achieves 18,000e- full well capacity and 32% quantum efficiency (QE) with a pyramid
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2a432db180add258ee7891502668b8ef
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9372109
https://doi.org/10.1109/iedm13553.2020.9372109
Autor:
H. Ikeda, Y. Ebiko, Yoshiya Hagimoto, Itaru Oshiyama, Hayato Iwamoto, T. Oinoue, S. Yokogawa, T. Hirano, S. Saito
Publikováno v:
2017 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
We demonstrated the near-infrared (NIR) sensitivity enhancement of back-illuminated complementary metal oxide semiconductor image sensors (BI-CIS) with a pyramid surface for diffraction (PSD) structures on crystalline silicon and deep trench isolatio
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00e4d412afab37aab7563ea2fb5f3b30
https://doi.org/10.1109/iedm.2017.8268403
https://doi.org/10.1109/iedm.2017.8268403
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 52:429-432
We have developed a low-temperature fabrication process for making thin-film transistors (TFTs) with highly activated source and drain regions by utilizing pre-amorphization by Ge-ion implantation followed by solid-phase crystallization. The sheet re
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1f654441fd5d28a51422a412d8467311
https://doi.org/10.1109/ted.2005.843870
https://doi.org/10.1109/ted.2005.843870
Autor:
Y. Mishima, Y. Ebiko
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 49:981-985
We investigated the lifetimes for various poly-Si thin film transistor (TFT) structures. A gate-overlapped lightly doped drain (GOLDD) structure was self-aligned by the side etching of Al-Nd in an Al-Nd/Mo gate electrode. The dopant activation proces
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7fde52ccbb8af964c1aba76d79896fe
https://doi.org/10.1109/ted.2002.1003716
https://doi.org/10.1109/ted.2002.1003716
Publikováno v:
IEDM Technical Digest. IEEE International Electron Devices Meeting, 2004..
We found that the absorption of backlight by TFTs is insensitive to poly-Si thickness t/sub Si/, while photo leak current of TFTs depends linearly on t/sub Si/. We modeled these phenomena by assuming that the Q electron-hole pairs generated recombine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7a8e1436c1a4b5f826682c176831712
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419291
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419291
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.