Zobrazeno 1 - 10
of 42
pro vyhledávání: '"Y. Badali"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 49:444-453
© 2019, The Minerals, Metals & Materials Society.Au/n-Si metal/semiconductor (MS) Schottky barrier diodes with and without (Ag2S-PVA) interlayer were prepared by the ultrasound-assisted method and their electric and dielectric properties were examin
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica B: Condensed Matter. 561:1-8
© 2019 Elsevier B.V. The copper selenide (CuSe) nanostructures with different pH values are prepared by an ultrasound-assisted technique. The spectroscopic, morphological and structural characteristics of prepared nanomaterials were investigated via
Publikováno v:
Polymer Composites. 40:3623-3633
Boron and rare earth stabilized graphene (Gr) doped polyvinylidene fluoride (PVDF) nanofibers were synthesized by electro-spinning method. The structural and morphological properties of the nanofibers were characterized. The morphological and structu
© 2020, Springer Science+Business Media, LLC, part of Springer Nature.In this work, Au/4H–SiC Schottky diodes with different Bi2O3–x:PVA (x = Sm, Sn, Mo) thin insulator interface layer were produced for the fabrication of metal/insulator/semicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::29d19d24dea13b29ac3624ad780e90ed
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/8e6dce6a-b0be-40a6-a6b2-e13e61a046e2/oai
https://avesis.gazi.edu.tr/publication/details/8e6dce6a-b0be-40a6-a6b2-e13e61a046e2/oai