Zobrazeno 1 - 10
of 247
pro vyhledávání: '"Y. B. Hahn"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 19:1277-1281
Dry etching of undoped, n- and p-type GaN films has been carried out in a planar type inductively coupled plasma (ICP) system. The effect of etching conditions on surface morphology and optical properties of GaN films etched in Cl2/Ar discharges was
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::3a41e4988038487abe4cf67148018eca
https://doi.org/10.1116/1.1336830
https://doi.org/10.1116/1.1336830
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films. 18:1273-1277
NiFe and NiFeCo were dry etched in inductively coupled plasma Cl2/Ar and CO/NH3 discharges, either with or without concurrent UV illumination from a Hg arc lamp. No enhancement was observed for CO/NH3 etching of the two materials, or for Cl2/Ar etchi
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f22f2ed25b4e507e49a15debd211be73
https://doi.org/10.1116/1.582339
https://doi.org/10.1116/1.582339