Zobrazeno 1 - 10
of 17
pro vyhledávání: '"Y. Alpern"'
Autor:
E. Maayan, null Ran Dvir, J. Shor, null Yan Polansky, Y. Sofer, I. Bloom, D. Avni, B. Eitan, Z. Cohen, M. Meyassed, Y. Alpern, H. Palm, E. Stain v. Kamienski, P. Haibach, D. Caspary, S. Riedel, R. Knofler
Publikováno v:
2002 IEEE International Solid-State Circuits Conference. Digest of Technical Papers (Cat. No.02CH37315).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eac24fe9ec9eb279d21b7b31e6daa619
https://doi.org/10.1109/isscc.2002.992117
https://doi.org/10.1109/isscc.2002.992117
Autor:
J. Shappir, Y. Alpern
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 64:4987-4992
The temperature dependence of polycrystalline Si conductivity is studied. The conductivity is analyzed in terms of activation energy Ea and a prefactor σ0. The correlation between Ea and σ0 is shown to be consistent with the assumption of a linear
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::26742da5825246bce93a53c209107a91
https://doi.org/10.1063/1.342448
https://doi.org/10.1063/1.342448
Autor:
J. Shappir, Y. Alpern
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 63:2694-2699
Metal‐oxide‐semiconductor structures employing lightly boron doped polycrystalline Si electrode are studied. The frequency dispersion of their admittance is explained by the existence of a broad distribution of intergrain potential barriers. A si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::20622b07b557e739e5461349d9c00ab2
https://doi.org/10.1063/1.341014
https://doi.org/10.1063/1.341014
Autor:
J. Shappir, Y. Alpern
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 51:1524-1526
Metal‐oxide‐semiconductor capacitors with undoped polycrystalline Si (polysilicon) electrodes were studied and a model was developed to explain the voltage and frequency dependence of the capacitance and serial resistance. The model assumes rando
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::6e2e62e4697fc4022263578694632bbe
https://doi.org/10.1063/1.98623
https://doi.org/10.1063/1.98623
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 49:382-384
The microstructure of low pressure chemical vapor deposited silicon layers is investigated during and after annealing. The crystallization of deposited amorphous layers is controlled by microtwins, which are generated during the nucleation stage, and
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ce136f229be7eedf9514a6b09bb9c1a
https://doi.org/10.1063/1.97594
https://doi.org/10.1063/1.97594
Autor:
Dirk Caspary, D. Avni, M. Meyassed, Joseph Shor, Herbert Palm, S. Riedel, P. Haibach, Yair Sofer, Y. Polansky, Eduardo Maayan, Z. Cohen, B. Eitan, R. Knofler, E.S. v Kamienski, Y. Alpern, I. Bloom, R. Dvir
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
The NROM technology is applied to EEPROM, flash, and data storage product lines. All the products are based on the two-bit-per-cell core technology, using common design concepts, algorithms, circuits, and the same process architecture. Differing prod
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::121c37f58800871f14926f2f23ddbed6
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0036224246&partnerID=MN8TOARS
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-0036224246&partnerID=MN8TOARS
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.