Zobrazeno 1 - 10
of 260
pro vyhledávání: '"Y. Rosenwaks"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
The Journal of Physical Chemistry C. 112:7145-7150
Hydrogen-terminated and alkyl-chain (C18H37)-terminated Si(100) surfaces with different doping levels have been characterized using Kelvin probe force microscopy. n- and p-doped Si(100) and lateral p++n and n++p silicon junctions were hydrogenated in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a3e4da1f8eea6990e5f47a3ba3c44ea8
https://doi.org/10.1021/jp709973d
https://doi.org/10.1021/jp709973d
Autor:
E. Rabinovich, Alexander Axelevitch, M. Rattagi, A. Kozlovsky, Y. Rosenwaks, A. Seidman, P.J. Rancoita, Mark Oksman, Alexandra Inberg, N. Croitoru, Gady Golan
Publikováno v:
Microelectronics Journal. 31:937-944
The structure, microhardness and deformation character for silicon detectors were investigated following a neutron irradiation, using optical and Atomic Force (AFM) microscopes. The results of these investigations have given an important contribution
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e3c6b7a5cc14d6c3c8d11e3e03aedf3f
https://doi.org/10.1016/s0026-2692(00)00093-8
https://doi.org/10.1016/s0026-2692(00)00093-8
Autor:
Y. Rosenwaks, A. Liu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 86:430-437
We present a comprehensive and systematic study of the minority and majority carrier lifetimes in InP single crystals doped in the range of 1×1015–4×1018 cm−3. Radiative recombination dominates in undoped InP, because the Shockley–Read–Hall
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::0474d98d614fcf8dd86fff6564e96490
https://doi.org/10.1063/1.370748
https://doi.org/10.1063/1.370748
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
A. Henning, G. Gxfcnzburger, R. Jxf6hr, Y. Rosenwaks, B. Bozic-Weber, C. E. Housecroft, E. C. Constable, E. Meyer, T. Glatzel
Publikováno v:
Beilstein J. Nanotech.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=erc_________::8e245dff28886372285c882feb226c35
Publikováno v:
EMC 2008 14th European Microscopy Congress 1–5 September 2008, Aachen, Germany ISBN: 9783540851547
The secondary electron (SE) emission flux in a high-resolution scanning electron microscope (HRSEM) is a powerful tool for delineation of electrically active dopant concentration, built-in potentials and surface electric fields in semiconductor junct
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::70b288f22e2521b0122ba4ff9adc385b
https://doi.org/10.1007/978-3-540-85156-1_320
https://doi.org/10.1007/978-3-540-85156-1_320
