Zobrazeno 1 - 10
of 271
pro vyhledávání: '"Y T Oh"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Allelopathy Journal. 40:47-62
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::88b525e18327e1e3568ffaec43937e77
https://doi.org/10.26651/2017-40-1-1065
https://doi.org/10.26651/2017-40-1-1065
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Eleanor Y. Chen, Edmund S. Cibas, Ronny I. Drapkin, Jeffrey F. Krane, Alexander J.F. Lazar, Alessandra F. Nascimento, Peter G. Rose, Elizabeth A. Stewart, Priscilla S. Chang, David R. Genest, Phillip H. McKee, Kristine Y-T Oh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f0fcc9b11a1cea594d3f3a8192f7eb87
https://doi.org/10.1016/b978-0-323-44732-4.00040-6
https://doi.org/10.1016/b978-0-323-44732-4.00040-6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Electronics Letters. 52:531-533
The stress-induced resistance drift in MgO-based magnetic tunnel junctions (MTJs) with Mg insertion layer above and below a MgO tunnel barrier is investigated. Mg insertion suppresses the resistance drift. Resistance drift characteristics are improve
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::44bcc13de74c53ae5a299bdf136b209b
https://doi.org/10.1049/el.2015.4299
https://doi.org/10.1049/el.2015.4299