Zobrazeno 1 - 9
of 9
pro vyhledávání: '"Xuexin Peng"'
Autor:
Si Nga Wong, Susan Wing Sze Chan, Xuexin Peng, Bianfei Xuan, Hok Wai Lee, Henry H. Y. Tong, Shing Fung Chow
Publikováno v:
Pharmaceutics, Vol 12, Iss 12, p 1209 (2020)
The kinetic entrapment of molecules in an amorphous phase is a common obstacle to cocrystal screening using rapid solvent removal, especially for drugs with a moderate or high glass-forming ability (GFA). The aim of this study was to elucidate the ef
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5bd00b9bc7854f498618ca4452c09468
Autor:
Hok Wai Lee, Xuexin Peng, Henry H.Y. Tong, Susan Wing Sze Chan, Bianfei Xuan, Si Nga Wong, Shing Fung Chow
Publikováno v:
Pharmaceutics
Pharmaceutics, Vol 12, Iss 1209, p 1209 (2020)
Volume 12
Issue 12
Pharmaceutics, Vol 12, Iss 1209, p 1209 (2020)
Volume 12
Issue 12
The kinetic entrapment of molecules in an amorphous phase is a common obstacle to cocrystal screening using rapid solvent removal, especially for drugs with a moderate or high glass-forming ability (GFA). The aim of this study was to elucidate the ef
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::79ae1a3c62bd478b8b07d8d9b9150c53
http://europepmc.org/articles/PMC7764899
http://europepmc.org/articles/PMC7764899
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 122:72-75
Properties of some GaN layers with different blue luminescence relative intensity were investigated by photoluminescence, Rutherford backscattering/channeling and double crystal X-ray diffraction, respectively. The surface minimum yields χ min of Ru
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e2391090d57f9fe3d41dad72a2c42085
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.02.067
https://doi.org/10.1016/j.mseb.2005.02.067
Autor:
Xuexin Peng, Chuanbing Xiong, Chunlan Mo, Shuti Li, Li Wang, Zhenbo Deng, Fengyi Jiang, Dawei Gong
Publikováno v:
Journal of Luminescence. 93:321-326
The growth of Si-doped GaN films was performed by MOCVD using a homemade reactor operating at atmospheric pressure on (0 0 0 1) oriented sapphire. A study of the effect of Si-doping indicated that the intensity of yellow band emission in GaN : Si fil
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ee4d5fa5fbd24f7fae79a65458e4e66b
https://doi.org/10.1016/s0022-2313(01)00206-x
https://doi.org/10.1016/s0022-2313(01)00206-x
Autor:
Xuexin Peng, Guanghan Fan, Chuanbing Xiong, Fengyi Jiang, Qinghua Liao, Nianhua Liu, Chuankang Pan
Publikováno v:
Journal of Crystal Growth. 183:289-293
MgSe thin films have been grown by metal-organic chemical vapor deposition on GaAs substrates. Our experimental results show that the crystal structure of MgSe depends strongly on both the growth temperature and the substrate orientation. Using the X
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c7bcf3caeb86fc90f5e35499d0b97f59
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00426-0
https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00426-0
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.