Zobrazeno 1 - 10
of 40
pro vyhledávání: '"Xu Huai-zhe"'
Autor:
Hou, Zhen-hua, Hao, Ming-yang, Luo, Rui-ying, Xiang, Qiao, Yang, Wei, Shang, Hai-dong, Xu, Huai-zhe
Publikováno v:
In New Carbon Materials August 2015 30(4):364-371
Publikováno v:
In Progress in Natural Science: Materials International February 2011 21(1):31-35
Publikováno v:
In Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 2010 43(1):85-88
Autor:
Xu Huai-Zhe, Chen Jian
Publikováno v:
Communications in Theoretical Physics. 64:108-112
We investigate theoretically the intervalley charge density oscillation and the screened ionic potential in graphene caused by the intervalley scattering. We demonstrate that the contribution from the intervalley scattering is comparable with that fr
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e308b1371d5b901ca92dcddabe12fb5d
https://doi.org/10.1088/0253-6102/64/1/108
https://doi.org/10.1088/0253-6102/64/1/108
Autor:
Chen Jian, Xu Huai-Zhe
Publikováno v:
Communications in Theoretical Physics. 63:520-524
We investigate theoretically the intervalley plasmon excitations (IPEs) in graphene monolayer within the random-phase approximation. We derive an analytical expression of the real part of the dielectric function. We find a low-energy plasmon mode wit
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00a7de8ca050f00cd23088380cd2130e
https://doi.org/10.1088/0253-6102/63/4/520
https://doi.org/10.1088/0253-6102/63/4/520
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Sep2009, Vol. 106 Issue 6, p063915-063920, 5p, 2 Diagrams, 5 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Mar2009, Vol. 105 Issue 5, pN.PAG, 5p, 1 Diagram, 4 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu Feng-Qi, Wang Zhan-Guo, Chen Yong-Hai, Jiang Wei-hong, Ye Xiaoling, Sun Zhongzhe, Xu Huai-zhe, Wu Ju, Xu Bo
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 88:533-536
Self-assembled In0.9Ga0.1As, In0.9Al0.1As, and InAs quantum dots (QD) were fabricated in an InAlAs matrix lattice-matched to an InP substrate by molecular beam epitaxy. Preliminary characterizations were performed using transmission electron microsco
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f23381f04b805f45c595acc2875c77d1
https://doi.org/10.1063/1.373691
https://doi.org/10.1063/1.373691
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.