Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Xu Da-Qing"'
Publikováno v:
Advances in Condensed Matter Physics, Vol 2014 (2014)
Uniaxial strain technology is an effective way to improve the performance of the small size CMOS devices, by which carrier mobility can be enhanced. The E-k relation of the valence band in uniaxially strained Si is the theoretical basis for understan
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b436ed33d8b649fe9ce0b35e5640f679
Publikováno v:
Journal of Computational and Theoretical Nanoscience. 12:2246-2252
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5e795c403cc86613aeb61ec527b31f3
https://doi.org/10.1166/jctn.2015.4014
https://doi.org/10.1166/jctn.2015.4014
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Chinese Physics B. 18:1637-1642
This paper reports that the Raman spectra have been recorded on the metal-organic chemical vapour deposition epitaxially grown GaN before and after the Mn ions implanted. Several Raman defect modes have emerged from the implanted samples. The structu
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b0d1251a0a3e68574690e6447b55b108
https://doi.org/10.1088/1674-1056/18/4/059
https://doi.org/10.1088/1674-1056/18/4/059
Autor:
Tang Xiao-Yan, Lü Hong-Liang, Xu Da-Qing, Wang Chao, Wang Yue-Hu, Zhang Yu-Ming, Li Pei-Xian, Zhang Yi-Men
Publikováno v:
Chinese Physics B. 17:4648-4651
This paper reports that (Ga, Mn)N is prepared using implantation of 3at.% Mn Ions into undoped GaN. Structural characterization of the crystals was performed using x-ray diffraction(XRD). Detailed XRD measurements have revealed the characteristic of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c497e93254e3c380beb866ced2f3f68
https://doi.org/10.1088/1674-1056/17/12/053
https://doi.org/10.1088/1674-1056/17/12/053
Publikováno v:
Chinese Physics. 16:2455-2461
The diffusion behaviours of vanadium implanted p- and n-type 4H-SiC are investigated by using the secondary ion mass spectrometry (SIMS). Significant redistribution, especially out-diffusion of vanadium towards the sample surface is not observed afte
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::96c969464da343ad6fcb171056cc94bb
https://doi.org/10.1088/1009-1963/16/8/050
https://doi.org/10.1088/1009-1963/16/8/050
Publikováno v:
Chinese Journal of Agricultural Biotechnology. 1:139-142
Inter-simple sequence repeat (ISSR) analysis was carried out in Thatcher, 20 near-isogenic lines (NILs) containing respectively different genes conferring resistance against wheat leaf rust (Puccinia recondite f.sp. tritici), three materials carrying
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1dce1e11feccc62a4f69dbc512d40c51
https://doi.org/10.1079/cjb200427
https://doi.org/10.1079/cjb200427
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Acta Physica Sinica. 63:047501
In this study, GaN:Mn thin films are fabricated by implementing Mn ions into the undoped GaN material. The effects of annealing temperature on microstructures, optical and magnetic properties of the thin films are investigated. The Raman spectra meas
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8b1348fa79268dd26900e9bcec077e37
https://doi.org/10.7498/aps.63.047501
https://doi.org/10.7498/aps.63.047501