Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"Xiong, Zhibin"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Xiong, Zhibin, Huang, Jun
Publikováno v:
Journal of Modelling in Management, 2021, Vol. 17, Issue 4, pp. 1078-1097.
Externí odkaz:
http://www.emeraldinsight.com/doi/10.1108/JM2-09-2020-0235
Autor:
Xiong, Zhibin.
Publikováno v:
View abstract or full-text..
Thesis (Ph.D.)--Hong Kong University of Science and Technology, 2005.
Includes bibliographical references. Also available in electronic version.
Includes bibliographical references. Also available in electronic version.
Externí odkaz:
http://library.ust.hk/cgi/db/thesis.pl?ELEC%202005%20XIONG
Autor:
Xiong Zhibin
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 267, p 04001 (2019)
This paper proposes an improved Trie tree structure. The tree node records the position information of the characters participating in the word formation, and the child node uses the hash search mechanism. On this basis, the forward maximum matching
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/fc929af0ec0844a2aa7510b2ebfcbf7f
Publikováno v:
Acta Ecologica Sinica. 39
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
S. Yang, Chwa Sally, Lim Kheeyong, Hong Feng, Liu Xinfu, Wu Yanping, Yu Xing, Ding Yongping, Nong Hao, Tang Bin, Shen Yanping, Wu Zhihua, Xiong Zhibin, Lim Louis
Publikováno v:
2008 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology.
In this paper, we present the investigation of inverse narrow width effect (INWE) of 65 nm low-power process with dual gate oxide shapes. To evaluate the impact of STI process on narrow devices, we conducted different experiments in STI process steps
Autor:
Liu Xinfu, Lim Kheeyong, Wu Zhihua, Xiong Zhibin, Ding Yongping, Nong Hao, Wu Yanping, Shen Yanping, Tang Bin, Lim Louis, Chwa Sally, Yu Xing, Hong Feng, Yang, S.
Publikováno v:
2008 9th International Conference on Solid-State & Integrated-Circuit Technology; 2008, p1138-1141, 4p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.