Zobrazeno 1 - 10
of 419
pro vyhledávání: '"Xie, M H"'
High-index Bi2Se3(221) film has been grown on In2Se3-buffered GaAs(001), in which a much retarded strain relaxation dynamics is recorded. The slow strain-relaxation process of in epitaxial Bi2Se3(221) can be attributed to the layered structure of Bi2
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1606.06227
Autor:
Liu, H. J., Jiao, L., Xie, L., Yang, F., Chen, J. L., Ho, W. K., Gao, C. L., Jia, J. F., Cui, X. D., Xie, M. H.
Publikováno v:
2D Mater. 2 034004 (2015)
Interests in two-dimensional transition-metal dichalcogenides have prompted some recent efforts to grow ultrathin layers of these materials epitaxially using molecular-beam epitaxy. However, growths of monolayer and bilayer WSe2, an important member
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1506.04460
Publikováno v:
Appl. Phys. Lett. 99, 023112 (2011)
Superlattices (SLs) consisted of alternating Bi2Se3 and In2Se3 layers are grown on Si(111) by molecular-beam epitaxy. Bi2Se3, a three-dimensional topological insulator (TI), showed good chemical and structural compatibility with In2Se3, a normal band
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1106.0580
Autor:
Li, H. D., Wang, Z. Y., Kan, X., Guo, X., He, H. T., Wang, Z., Wang, J. N., Wong, T. L., Wang, N., Xie, M. H.
Publikováno v:
New Journal of Physics 12 (2010) 103038
Epitaxial growth of topological insulator Bi2Se3 thin films on nominally flat and vicinal Si(111) substrates is studied. In order to achieve planner growth front and better quality epifilms, a two-step growth method is adopted for the van der Waal ep
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1005.0449
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
The ``S-shape'' (decrease-increase-decrease) temperature dependence of luminescence peak shift from semiconductors is considered. A luminescence model for localized state ensemble was employed to interpret this anomalous temperature dependence of emi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0502311
A distribution function for localized carriers, $f(E,T)=\frac{1}{e^{(E-E_a)/k_BT}+\tau_{tr}/\tau_r}$, is proposed by solving a rate equation, in which, electrical carriers' generation, thermal escape, recapture and radiative recombination are taken i
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0411128
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.