Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Xie, Hanlin"'
Autor:
Dalapati, Pradip, Arulkumaran, Subramaniam, Mani, Dinesh, Li, Hanchao, Xie, Hanlin, Wang, Yue, Ng, Geok Ing
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B September 2024 307
Autor:
Liang, Guanzhan, Huang, Junfeng, Chen, Jing, Wen, Xiaofeng, Li, Ruibing, Xie, Hanlin, Zhang, Zongjin, Chen, Zexian, Chen, Yongle, Xian, Zhenyu, He, Xiaowen, Ke, Jia, Lian, Lei, Lan, Ping, Wu, Xianrui, Hu, Tuo
Publikováno v:
In Cellular and Molecular Gastroenterology and Hepatology 2024 17(6):939-964
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Colloids and Surfaces A: Physicochemical and Engineering Aspects 5 June 2022 642
Autor:
Li, Hanchao, Xie, Hanlin, Wang, Yue, Yulia, Lekina, Ranjan, Kumud, Singh, Navab, Chung, Surasit, Lee, Kenneth E., Arulkumaran, Subramaniam, Ing Ng, Geok
Publikováno v:
Physica Status Solidi. A: Applications & Materials Science; Nov2024, Vol. 221 Issue 21, p1-6, 6p
Autor:
Loke Wan Khai, Wang Yue, Lee Kwang Hong, Liu Zhihong, Xie Hanlin, Chiah Siau Ben, Kenneth Lee Eng Kian, Zhou Xing, Chuan Seng Tan, Ng Geok Ing, Eugene A. Fitzgerald, Yoon Soon Fatt
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 8, Pp 122-125 (2020)
N-p-n InGaP/GaAs double heterojunction bipolar transistor has been successfully grown on a 200 mm Ge/Si wafer using metalorganic chemical vapor deposition with low defect density of 107 cm-2. Non-gold metals of Ni/Ge/Al and Ti/Al are used to form the
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/382fdee54aa84cff81c9cfc3c3429072
Autor:
Cakmak, Huseyin, Thomas, Amelie, Ratranaj, Sonia Anton Hillary, Yeo, Abdul Hannan, Kumar, Shiv, Xie, Hanlin, Chand, Umesh, Reddy, Vudumula Pavan, Voo, Qin Gui Roth, Bera, Lakshmi Kanta, Singh, Navab, Chung, Surasit, Kabelaan, Loic, Radu, Ionut, Schwarzenbach, Walter
Publikováno v:
Materials Science Forum; August 2024, Vol. 1124 Issue: 1 p1-5, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.